[發明專利]電容器的制造方法

在審

• 申請號: 201710321460.8
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN107170591A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 劉程秀
• 申請（專利權）人: 劉程秀
• 主分類號: H01G13/00
• 分類號: H01G13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電容器的制造方法，是以在表面上形成有電介質層的導體作為一個電極、以半導體層作為另一個電極的電容器的制造方法，其特征在于，在上述電介質層上制作電性微小缺陷部分使得導體單位表面積的漏電流值變為小于等于500μA/M2，然后利用通電方法在電介質層上形成上述半導體層。

2.根據權利要求1所述的電容器的制造方法，導體選自金屬、無機半導體、有機半導體和碳中的至少1種；導體為表層具有選自金屬、無機半導體、有機半導體和碳中的至少1種導體的層壓體；半導體為選自有機半導體和無機半導體中的至少1種的半導體；電介質為選自金屬氧化物和高分子中的至少1種的電介質，金屬氧化物是通過化學轉化處理具有金屬元素的導體而得到的金屬氧化物；通過使表面形成有電介質層的導體與該電介質層的腐蝕性氣體或者腐蝕性液體接觸，來制造形成于電介質層的電性微小缺陷部分，腐蝕性氣體為鹵素氣體、或者含有酸或堿成分的水蒸氣、空氣、氮氣或氬氣，腐蝕性液體為使水或有機溶劑中含有鹵素成分、酸或堿成分而形成的溶液；通過使微小接觸物附著在表面上形成有電介質層的導體上，來制造形成于電介質層上的電性微小缺陷部分，微小接觸物為選自金屬氧化物、鹽、含有過渡元素的無機化合物、含有過渡元素的有機化合物、和高分子化合物中的至少1種；有機半導體為選自下述半導體中的至少1種包含苯并吡咯啉4聚物與氯醌的有機半導體、以四硫代并四苯為主成分的有機半導體、以四氰基醌二甲烷為主成分的有機半導體、以向含有下述通式(1)或(2)所示的重復單元的高分子中摻雜了摻雜劑的導電性高分子為主成分的有機半導體， (式中，R1～R4表示氫原子、碳數為1～6的烷基或者碳數為1～6的烷氧基，它們彼此可以相同，也可以不同，X表示氧、硫或氮原子，R5僅在X為氮原子時才存在、并且表示氫原子或者碳數為1～6的烷基，R1與R2以及R3與R4可以相互結合而形成環狀)，含有通式(1)所示的重復單元的高分子是含有下述通式(3)所示的結構單元作為重復單元的高分子， (式中，R6和R7各自獨立地表示氫原子、碳數為1～6的直鏈狀或分支狀的飽和或不飽和的烷基、或該烷基在任意位置相互結合而形成含有2個氧元素的大于等于1個的5～7員環的飽和烴的環狀結構的取代基，上述環狀結構可以含有可以被取代的亞乙烯基鍵或可以被取代的亞苯基結構)；高分子選自聚苯胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯、和它們的取代衍生物和共聚物，高分子為聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)；無機半導體為選自二氧化鉬、二氧化鎢、二氧化鉛和二氧化錳中的至少1種的化合物；半導體的電導率在10-2～103S/Cm的范圍內。