[發明專利]一種去除鈦合金微弧氧化膜層殘留基體的方法在審
| 申請號: | 201710321162.9 | 申請日: | 2017-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN107217289A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 郝千駒;杜楠;趙晴;王帥星 | 申請(專利權)人: | 南昌航空大學 |
| 主分類號: | C25D11/26 | 分類號: | C25D11/26;C25F5/00;G01N1/32 |
| 代理公司: | 南昌洪達專利事務所36111 | 代理人: | 劉凌峰 |
| 地址: | 330063 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 鈦合金 氧化 殘留 基體 方法 | ||
1.一種去除鈦合金微弧氧化膜層殘留基體的方法,其特征在于:
(1)分離前制備;
①將帶有微弧氧化后試樣的一面用砂紙打磨至鈦合金基體暴露;
②將打磨好的試樣連接上夾具并用環氧樹脂進行鑲嵌;
③用砂紙打磨掉基體一側的環氧,并使其基體暴露;
④配置電解液為質量分數1.5~10%的NaCl溶液;
⑤在溶液中加入攪拌器,使攪拌器轉速為650r/min;
⑥連接電路:將步驟④所配電解液倒入電解槽中,不銹鋼作為陰極通過導線與電源負極連接,鑲嵌打磨后的試樣作為陽極通過導線與電源正極連接,組成分離所需電路;
(2)接通電源,采用恒壓法,電壓為15V,待基體全部溶解后取出膜層,在溶解過程中檢測溶液的pH值,并用稀鹽酸調節pH值,使電解溶液保持中性;
(3)將步驟(2)獲得的微弧氧化試樣用去離子水浸泡10min后取出,烘干以備后續使用。
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