[發(fā)明專利]回旋加速器的外圍丘扇塊設(shè)計(jì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710320771.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107371317B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | W·克里文;M·阿布斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 離子束應(yīng)用股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05H13/00 | 分類號(hào): | H05H13/00;H05H7/04 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 湯慧華;鄭霞 |
| 地址: | 比利時(shí)*** | 國(guó)省代碼: | 比利時(shí);BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 回旋加速器 外圍 丘扇塊 設(shè)計(jì) | ||
1.一種用于回旋加速器(1)的磁極(2),所述磁極包括圍繞中心軸線Z交替分布的至少3個(gè)丘扇塊(3)和相同數(shù)目的谷扇塊(4),每個(gè)丘扇塊包括:上表面(3U),所述上表面由以下各項(xiàng)限定:
-上外圍邊緣(3up),所述上外圍邊緣以第一上遠(yuǎn)端和第二上遠(yuǎn)端(3ude)為邊界,并且被限定為所述上表面的、位置離所述中心軸線最遠(yuǎn)的邊緣;
-上中心邊緣(3uc),所述上中心邊緣以第一上近端和第二上近端(3upe)為邊界并且被限定為所述上表面的、位置離所述中心軸線最近的邊緣;
-第一上側(cè)邊緣(3ul),所述第一上側(cè)邊緣將所述第一上遠(yuǎn)端與所述第一上近端相連接;
-第二上側(cè)邊緣(3ul),所述第二上側(cè)邊緣將所述第二上遠(yuǎn)端與所述第二上近端相連接;
其特征在于,丘扇塊的所述上外圍邊緣包括圓弧,所述圓弧的中心相對(duì)于所述中心軸線偏移,并且所述圓弧的半徑Rh不超過(guò)從所述中心軸線到所述上外圍邊緣的中點(diǎn)的距離Lh的85%(Rh/Lh≤85%),所述上外圍邊緣的所述中點(diǎn)到所述第一上遠(yuǎn)端和所述第二上遠(yuǎn)端的距離相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁極,其中,所述圓弧的中心位于對(duì)應(yīng)的丘扇塊的上表面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁極,其中,所述圓弧的中心位于所述上表面的二等分線上,所述二等分線被限定為將所述中心軸線與所述上外圍邊緣的所述中點(diǎn)連結(jié)起來(lái)的直線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的磁極,其中,所述圓弧的半徑Rh與從所述中心軸線到所述上外圍邊緣的所述中點(diǎn)的距離Lh的比率Rh/Lh不超過(guò)75%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的磁極,其中,所述圓弧的半徑Rh與從所述中心軸線到所述上外圍邊緣的所述中點(diǎn)的距離Lh的比率Rh/Lh不超過(guò)65%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的磁極,其中,所述圓弧從所述上外圍邊緣的所述第一上遠(yuǎn)端延伸到所述第二上遠(yuǎn)端。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁極,其中,所述圓弧從所述上外圍邊緣的所述第一上遠(yuǎn)端延伸到所述第二上遠(yuǎn)端。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁極,其中,所述圓弧從所述上外圍邊緣的所述第一上遠(yuǎn)端延伸到所述第二上遠(yuǎn)端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3、7-8中任一項(xiàng)所述的磁極,其中,每個(gè)谷扇塊包括底表面,并且每個(gè)丘扇塊包括:
(a)第一側(cè)表面和第二側(cè)表面(3L),每個(gè)側(cè)表面從所述第一上側(cè)邊緣和所述第二上側(cè)邊緣橫向地延伸至位于丘扇塊的任一側(cè)的對(duì)應(yīng)谷扇塊的底表面,從而將第一下側(cè)邊緣和第二下側(cè)邊緣(3ll)限定為使側(cè)表面與相鄰底表面相交的邊緣,所述第一下側(cè)邊緣和所述第二下側(cè)邊緣各自具有位置離所述中心軸線最遠(yuǎn)的下遠(yuǎn)端;
(b)外圍表面(3P),所述外圍表面從所述上外圍邊緣延伸到下外圍線(3lp),所述下外圍線被限定為以所述第一下側(cè)邊緣和所述第二下側(cè)邊緣的所述下遠(yuǎn)端(3lde)為邊界的段。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁極,其中,每個(gè)谷扇塊包括底表面,并且每個(gè)丘扇塊包括:
(a)第一側(cè)表面和第二側(cè)表面(3L),每個(gè)側(cè)表面從所述第一上側(cè)邊緣和所述第二上側(cè)邊緣橫向地延伸至位于丘扇塊的任一側(cè)的對(duì)應(yīng)谷扇塊的底表面,從而將第一下側(cè)邊緣和第二下側(cè)邊緣(3ll)限定為使側(cè)表面與相鄰底表面相交的邊緣,所述第一下側(cè)邊緣和所述第二下側(cè)邊緣各自具有位置離所述中心軸線最遠(yuǎn)的下遠(yuǎn)端;
(b)外圍表面(3P),所述外圍表面從所述上外圍邊緣延伸到下外圍線(3lp),所述下外圍線被限定為以所述第一下側(cè)邊緣和所述第二下側(cè)邊緣的所述下遠(yuǎn)端(3lde)為邊界的段。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于離子束應(yīng)用股份有限公司,未經(jīng)離子束應(yīng)用股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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