[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201710319577.2 | 申請日： | 2012-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN107302031B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 栃林克明;日向野聰;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣膜；
所述柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；
所述氧化物半導體膜上的絕緣層，所述絕緣層與所述柵電極層重疊；
所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上的源電極層；以及
所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上的漏電極層，
其中，所述源電極層和所述漏電極層的每一個在溝道寬度方向的長度小于所述氧化物半導體膜在所述溝道寬度方向的長度，
其中，所述氧化物半導體膜中的氯濃度低于或等于5x1018atoms/cm3，并且
其中，所述氧化物半導體膜的與所述絕緣層、所述源電極層或所述漏電極層重疊的區域的厚度大于所述氧化物半導體膜的不與所述絕緣層、所述源電極層和所述漏電極層中的任何一個重疊的區域的厚度。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜的任何區域與所述絕緣層、所述源電極層和所述漏電極層中的至少一個重疊。
3.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣膜；
所述柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；
所述氧化物半導體膜上的絕緣層，所述絕緣層與所述柵電極層重疊；
所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上的源電極層；以及
所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上的漏電極層，
其中，所述源電極層和所述漏電極層覆蓋所述氧化物半導體膜的端部，
其中，所述氧化物半導體膜中的氯濃度低于或等于5x1018atoms/cm3，并且
其中，所述氧化物半導體膜的與所述絕緣層重疊的區域的厚度大于所述氧化物半導體膜的與所述源電極層或所述漏電極層重疊的區域的厚度。
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