[發明專利]一種基于介質微柱陣列的紅外吸波體及制備方法

在審

• 申請號: 201710319273.6
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN106950631A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 易飛;常晟源;李君宇;談小超;楊奧;郭頌;蔣順;周侖
• 申請（專利權）人: 華中科技大學;深圳華中科技大學研究院
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B5/22
• 代理公司: 華中科技大學專利中心42201
• 代理人: 廖盈春,李智

1.一種基于介質微柱陣列的紅外吸波體，其特征在于，包括：

介質微柱陣列(4)，其為多個呈陣列排布的柱體，用于對入射激光的波長進行篩選處理輸出篩選后激光；

介質層(3)，位于所述介質微柱陣列(4)的下方，用于使篩選后激光諧振產生電磁波；以及

金屬層(2)，位于所述介質層(3)的下方，用于將所述電磁波轉化為熱能吸收。

2.如權利要求1所述的紅外吸波體，其特征在于，所述柱體高度為630nm～1210nm，所述柱體直徑為809nm～1980nm，兩個相鄰所述柱體中心距離為1300nm～3600nm；所述介質層的厚度為1030nm～2310nm。

3.如權利要求1所述的紅外吸波體，其特征在于，所述柱體高度為630nm～890nm，所述柱體直徑為809nm～1430nm，相鄰兩個所述柱體中心距離為1300nm～2640nm，所述介質層(2)的厚度為1030nm～1690nm。

4.如權利要求1至3任一項所述的紅外吸波體，其特征在于，所述柱體在平面上的排布方式為六邊形排列。

5.如權利要求1至4任一項所述的紅外吸波體，其特征在于，所述柱體的材料為硅。

6.一種基于權利要求1所述的紅外吸波體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1在襯底上附著金屬層獲得第一中間產物；

S2在第一中間產物上附著介質層獲得第二中間產物；

S3采用圖形轉移工藝在所述第二中間產物的介質層上形成具有介質微柱陣列的反結構的曝光膠層，獲得第三中間產物；

S4在第三中間產物的曝光膠層上附著介質層獲得第四中間產物；

S5通過對第四中間產物采用濕化學法進行去除曝光膠處理，獲得所述紅外吸波體。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中獲得第三中間產物包括如下步驟：

S31采用旋涂方法在所述第二中間產物的介質層上形成第一曝光層，獲得第五中間產物；

S32通過對所述第五中間產物根據所述介質微柱陣列進行電子束曝光處理，獲得第六中間產物；

S33通過對所述第六中間產物進行顯影處理，在第二中間產物上形成具有介質微柱陣列的反結構的曝光膠層，獲得第三中間產物。

8.如權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中采用電子束蒸發或磁控濺射在襯底上附著金屬層。

9.如權利要求6至8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中采用磁控濺射方式或化學氣相沉積在第一中間產物的金屬層上附著介質層。

10.如權利要求6至9任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中采用磁控濺射方式或化學氣相沉積在第三中間產物的曝光層上附著介質層。