[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

有效

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• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107424936B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設計）人: 宮奎;段獻學;李紀龍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法會降低金屬氧化物薄膜晶體管的電連接性。本發(fā)明方法包括：在金屬氧化物有源層上制備第一抗刻蝕層圖案，其中第一抗刻蝕層圖案摻雜有導電介質(zhì)；在對金屬氧化物進行刻蝕形成金屬氧化物有源層圖案后，制備金屬氧化物薄膜晶體管的源極和漏極。由于第一抗刻蝕層圖案摻雜有電阻率較低的導電介質(zhì)，使得源極與金屬有源層和漏極與金屬有源層之間形成良好的電接觸區(qū)域，從而提高降低金屬氧化物薄膜晶體管的電連接性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著科學技術(shù)的發(fā)展，平板顯示裝置已經(jīng)取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube，陰極射線管)顯示裝置日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，發(fā)光二極管)顯示裝置。薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)是實現(xiàn)液晶顯示裝置和OLED顯示裝置大尺寸的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

在現(xiàn)有技術(shù)中，已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、單晶硅薄膜晶體管等。隨著技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了金屬氧化物薄膜晶體管，金屬氧化物薄膜晶體管具有載流子遷移率高的優(yōu)點，使得薄膜晶體管可以做的很小，而同時使平板顯示裝置的分辨率越高，顯示效果越好；同時金屬氧化物薄膜晶體管還具有特性不均現(xiàn)象少、材料和工藝成本降低、工藝溫度低、可利用涂布工藝、透明率高、帶隙大等優(yōu)點，因此備受業(yè)界關(guān)注。

但是目前制作金屬氧化物薄膜晶體管一般要增加一次構(gòu)圖工藝來設置刻蝕阻擋層，主要原因在于在刻蝕形成源漏金屬電極時會腐蝕氧化物半導體材料形成的有源層，通過在有源層上方增加刻蝕阻擋層，以便保護有源層在刻蝕形成源漏金屬電極的過程中不被源漏電極刻蝕液腐蝕，而這一層刻蝕阻擋層位于制備完成金屬氧化物薄膜晶體管的源極和金屬氧化物有源層以及漏極和金屬氧化物有源層之間，降低了金屬氧化物薄膜晶體管的電連接性。

綜上，現(xiàn)有的金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法會降低金屬氧化物薄膜晶體管的電連接性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法會降低金屬氧化物薄膜晶體管的電連接性。

本發(fā)明方法包括：

在金屬氧化物有源層上制備第一抗刻蝕層圖案，其中第一抗刻蝕層圖案摻雜有導電介質(zhì)；

在對金屬氧化物進行刻蝕形成金屬氧化物有源層圖案后，制備金屬氧化物薄膜晶體管的源極和漏極。

可選地，若第一抗刻蝕層圖案為摻雜有導電介質(zhì)的光刻膠層圖案；

制備金屬氧化物薄膜晶體管的源極和漏極，包括：

在第一抗刻蝕層圖案上覆蓋源漏極金屬層；

在源漏極金屬層上形成第二抗刻蝕層圖案，其中第二抗刻蝕層圖案為光刻膠層圖案；

刻蝕源漏極金屬層中未被第二抗刻蝕層圖案覆蓋的區(qū)域形成源極和漏極。

可選地，刻蝕源漏極金屬層中未被第二抗刻蝕層圖案覆蓋的區(qū)域形成源極和漏極之后，還包括：

通過一次構(gòu)圖工序剝離第一抗刻蝕層圖案中未被源極和漏極覆蓋的區(qū)域以及剝離第二抗刻蝕層圖案。

可選地，通過一次構(gòu)圖工序剝離第一抗刻蝕層圖案中未被源極和漏極覆蓋的區(qū)域以及剝離第二抗刻蝕層圖案，包括：

利用光刻膠剝離液剝離第一抗刻蝕層圖案中未被源極和漏極覆蓋的區(qū)域以及剝離第二抗刻蝕層圖案。