[發明專利]一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板

在審

• 申請號: 201710318884.9
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107425073A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 宮奎;段獻學;王鋮鋮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管，包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，其特征在于，所述有源層中設置有兩個相互間隔的凹槽，所述源極和漏極分別設置在所述兩個凹槽中。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和漏極與所述有源層的上表面齊平。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽在厚度方向貫穿所述有源層。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為金屬氧化物，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括：如權利要求1～4任一項所述的薄膜晶體管，設置于所述薄膜晶體管上方的鈍化層，以及與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極。

6.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成半導體膜層；

通過構圖工藝在所述半導體膜層中形成兩個相互間隔的凹槽；

在形成有凹槽的所述半導體膜層上形成金屬膜層；

通過化學機械平坦化工藝將除所述兩個凹槽中的金屬膜層以外的金屬膜層全部去除，將所述兩個凹槽中的金屬膜層分別作為源極和漏極；

針對形成有源極和漏極的所述半導體膜層，通過構圖工藝形成有源層。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述在形成有凹槽的所述半導體膜層上形成金屬膜層，具體包括：

在形成有凹槽的所述半導體膜層上形成厚度不小于所述凹槽的最大深度的金屬膜層。

8.根據權利要求6或7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述去除金屬膜層的步驟中的化學機械平坦化工藝中使用的拋光液為堿性無磨料的拋光液。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝在所述半導體膜層中形成兩個相互間隔的凹槽，具體包括：

通過構圖工藝在所述半導體膜層中形成兩個相互間隔的貫穿所述半導體膜層的凹槽。

10.根據權利要求6或7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成半導體膜層之前，或者在形成有源層之后，該方法還包括：

在基板上形成柵絕緣膜層；

通過化學機械平坦化工藝將所述柵絕緣膜層平坦化，形成柵絕緣層。