[發(fā)明專利]三維圖像傳感器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710317787.8
• 申請(qǐng)日: 2017-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107134468A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高喜峰;余興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種三維圖像傳感器，其特征在于，所述三維圖像傳感器包括：邏輯晶圓、鍵合于所述邏輯晶圓的第一表面的存儲(chǔ)晶圓、鍵合于所述存儲(chǔ)晶圓的第二表面的像素晶圓及形成于所述像素晶圓的第三表面的光柵透鏡，所述光柵透鏡能夠選擇波長(zhǎng)，并對(duì)選擇后的波長(zhǎng)進(jìn)行聚光后傳遞至所述像素晶圓。

2.如權(quán)利要求1所述的三維圖像傳感器，其特征在于，所述光柵透鏡包括多個(gè)間隔的二氧化鈦納米磚塊。

3.如權(quán)利要求2所述的三維圖像傳感器，其特征在于，所述二氧化鈦納米磚塊的高度為500nm～700nm。

4.如權(quán)利要求3所述的三維圖像傳感器，其特征在于，所述二氧化鈦納米磚塊的截面寬度為100nm～700nm。

5.如權(quán)利要求4所述的三維圖像傳感器，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述二氧化鈦納米磚塊之間的間隙為10nm～200nm。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的三維圖像傳感器，其特征在于，所述像素晶圓包括多個(gè)間隔的單光子雪崩二極管，相鄰兩個(gè)單光子雪崩二極管之間通過(guò)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)予以隔離。

7.一種三維圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述三維圖像傳感器的制造方法包括：

提供邏輯晶圓；

在所述邏輯晶圓的第一表面鍵合存儲(chǔ)晶圓；

在所述存儲(chǔ)晶圓的第二表面鍵合像素晶圓，所述像素晶圓的第三表面形成有光柵透鏡，所述光柵透鏡能夠選擇波長(zhǎng)，并對(duì)選擇后的波長(zhǎng)進(jìn)行聚光后傳遞至所述像素晶圓。

8.如權(quán)利要求7所述的三維圖像傳感器的制造方法，其特征在于，通過(guò)如下方法在所述像素晶圓的第三表面形成光柵透鏡：

在所述像素晶圓的第三表面形成二氧化鈦層；

刻蝕所述二氧化鈦層以形成光柵透鏡。

9.如權(quán)利要求7或8所述的三維圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述光柵透鏡包括多個(gè)間隔的二氧化鈦納米磚塊；所述二氧化鈦納米磚塊的高度為500nm～700nm；所述二氧化鈦納米磚塊的截面寬度為100nm～700nm；相鄰兩個(gè)所述二氧化鈦納米磚塊之間的間隙為10nm～200nm。

10.如權(quán)利要求7或8所述的三維圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述像素晶圓包括多個(gè)間隔的單光子雪崩二極管，相鄰兩個(gè)單光子雪崩二極管之間通過(guò)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)予以隔離。