[發(fā)明專利]一種MOSFET浮動驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710317343.4
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN106921284B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周澤坤;曹建文;李天生;石躍;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M1/38
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種MOSFET浮動驅(qū)動電路，包括恒流源產(chǎn)生電路、上功率管鉗位電路、上功率管驅(qū)動電路、下功率管驅(qū)動電路和功率輸出級；其特征在于，

所述上功率管鉗位電路由第一電阻R1、第一電容C1、第二電容C2、第一PMOS管MP1、第二NMOS管MN2、穩(wěn)壓二極管D1、第一開關(guān)S1和第一電流源I1構(gòu)成；第一電阻R1和第一電容C1并聯(lián)后一端接電源VCC，第一電流源的一端接電源VCC，另一端通過第一開關(guān)S1后接第一PMOS管MP1的源極，第一PMOS管MP1的柵極接第一電阻R1和第一電容C1并聯(lián)后的另一端；第二NMOS管MN2的漏極接電源VCC，其柵極接第一PMOS管MP1源極和第一開關(guān)S1的連接點；第二電容C2的一端接電源VCC，另一端接第二NMOS管MN2柵極和第一PMOS管MP1源極的連接點；穩(wěn)壓二極管D1的負極接電源VCC，正極接第二NMOS管MN2的源極；

所述恒流源產(chǎn)生電路由電壓跟隨器、第一NMOS管MN1和第二電阻R2構(gòu)成；第一NMOS管MN1的漏極接第一電阻R1和第一電容C1并聯(lián)后的另一端，其柵極接電源跟隨器的輸出端，第一NMOS管MN1的源極通過第二電阻R2后接地；電壓跟隨器的同相輸入端接外部基準(zhǔn)電壓，其反相輸入端接第一NMOS管MN1源極和第二電阻R2的連接點；

所述上功率管驅(qū)動電路由依次連接的第二電流源I2、第二開關(guān)S2、第三開關(guān)S3和第三電流源I3構(gòu)成，其中第二電流源I2接電源VCC，第三電流源I3接地；

所述下功率管驅(qū)動電路由第四開關(guān)S4和反相器驅(qū)動鏈構(gòu)成，反相器驅(qū)動鏈的輸入端通過第四開關(guān)S4后接地；

所述功率輸出級由P型功率管和N型功率管構(gòu)成，P型功率管的源極接電源VCC，其柵極接第二NMOS管MN2的源極，且P型功率管柵極與第二NMOS管MN2源極的連接點接第二開關(guān)S2和第三開關(guān)S3的連接點；N型功率管的柵極接反相器驅(qū)動鏈的輸出端，N型功率管的源極接地；P型功率管漏極和N型功率管漏極的連接點為輸出端。