[發明專利]等離子體裝置有效
| 申請號: | 201710316726.X | 申請日: | 2017-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN108882494B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | 蘇恒毅 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 陳亞英 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 裝置 | ||
1.一種等離子體裝置,所述等離子體裝置包括反應腔室和線圈,所述反應腔室用于容納待處理晶片,所述線圈設置在所述反應腔室外側,其特征在于,所述等離子體裝置還包括導磁件,所述導磁件內部設置有容納空間,所述線圈設置在所述容納空間內,以減小所述線圈上的電流,且能夠提高耦合到所述反應腔室內的磁場的強度;其中,所述導磁件套設在所述線圈外側,所述線圈為立體螺旋線結構,所述導磁件為筒狀結構或立體螺旋線結構,所述導磁件的內側壁上設置有凹槽,所述凹槽的形狀與所述線圈的形狀相匹配,以形成所述容納空間,所述等離子體裝置還包括呈平面狀的介質耦合窗,所述介質耦合窗與所述反應腔室頂部密閉連接,所述導磁件和所述線圈均設置在所述介質耦合窗上方,所述導磁件的底面設置于所述介質耦合窗的背離所述反應腔室一側的表面上,且所述凹槽的開口朝向所述反應腔室的外側。
2.根據權利要求1所述的等離子體裝置,其特征在于,所述凹槽的沿垂直于所述介質耦合窗方向的深度以及所述凹槽的沿平行于所述介質耦合窗方向的寬度不小于其所容納的所述線圈的直徑。
3.根據權利要求2所述的等離子體裝置,其特征在于,所述凹槽的沿垂直于所述介質耦合窗方向的深度以及沿平行于所述介質耦合窗方向的寬度均為7-11mm,所述凹槽所容納的所述線圈的直徑為6-10mm。
4.根據權利要求1所述的等離子體裝置,其特征在于,所述等離子體裝置還包括射頻電源和匹配網絡;所述線圈的一端通過所述匹配網絡與所述射頻電源電性連接,所述線圈的另一端與接地端電性連接;所述射頻電源用于在所述線圈上產生電流,以激發耦合到所述反應腔室內的磁場。
5.根據權利要求1所述的等離子體裝置,其特征在于,所述導磁件由鐵氧體材料制成。
6.根據權利要求5所述的等離子體裝置,其特征在于,所述鐵氧體材料的相對導磁率大于等于80。
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