[發明專利]進一步提高LED出光效率的方法及其LED結構在審
| 申請號： | 201710316653.4 | 申請日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN107123710A | 公開（公告）日： | 2017-09-01 |
| 發明（設計）人： | 林兓兓;蔡吉明;張家宏 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 進一步 提高 led 效率 方法 及其 結構 | ||
1.進一步提高LED出光效率的方法，其具體包括如下步驟：
S1、采用MOCVD法生長若干個外延片，所述外延片依次包括：襯底、以及位于所述襯底上的第一半導體層、發光層和第二半導體層；
S2、外延片生長結束后，進行第一次退火工藝；
S3、對退火后的外延片進行光電性能測試及外觀檢測；
S4、挑選出光電性能優異及外觀良好的外延片再次采用MOCVD法進行二次外延生長粗化層，得到表面粗化的外延片；
S5、對二次生長后的外延片進行二次退火工藝。
2.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述步驟S4中用于二次外延生長的外延片為波長分布均勻、快測亮度較高、表面平整、無臟污的外延片。
3.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述步驟S2中的第一次退火工藝與所述步驟S5中的二次退火工藝相同或不同。
4.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化層采用低溫高NH3/H2比和高生長速率制備而成。
5.根據權利要求3所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化層的生長條件為：N2和H2作為載氣、NH3為氮源、TMGa為鎵源，反應室應力為200~500torr，轉速為600rpm~1200rpm，生長溫度為700℃~900℃，NH3/H2為30:1~60:1。
6.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化層的厚度為3000?-5000?。
7.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化層為不規則粗化結構或者規則粗化結構。
8.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化層為V-pits結構。
9.根據權利要求1所述的進一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：該方法還包括對再次退火后的外延片進行芯片端，形成復數個芯粒的步驟。
10.一種LED結構，其采用權利要求1~9所述的任意一種提高LED出光效率的方法制備而成，其包括首次生長的外延結構層及采用相同的方法二次外延生長的粗化層，其中，所述外延結構層為光電性能優異及外觀良好的外延片，其依次包括襯底及依次位于所述襯底上的第一半導體層、發光層和第二半導體層。
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