[發(fā)明專利]一種石墨烯電極的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710316136.7 | 申請日: | 2017-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN107230615B | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王欣然;何道偉;吳冰;呂未;施毅 | 申請(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L29/45;H01L29/417 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陳建和 |
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨烯 電極 晶體管溝道 襯底轉(zhuǎn)移 復(fù)合結(jié)構(gòu) 接觸電極 晶體管 制備 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 金屬支撐層 圖形化金屬 金屬 表面沉積 襯底表面 高溫工藝 接觸性能 石墨烯層 有機溶劑 紫外臭氧 支撐層 探針 顯微鏡 摻雜 平整 損傷 生長 | ||
1.石墨烯電極的制備與轉(zhuǎn)移方法,其特征是,包括如下步驟:1)在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中生長石墨烯,并將石墨烯轉(zhuǎn)移到平整干凈的襯底表面;2)用紫外臭氧對石墨烯進行表面處理,并根據(jù)需要對石墨烯進行摻雜,然后在石墨烯表面沉積圖形化金屬作為支撐層得到金屬/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)電極;3)在顯微鏡下,利用探針操作,將金屬/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)電極從襯底轉(zhuǎn)移到晶體管溝道上,形成晶體管的接觸電極;
3-1)劃斷條帶狀金屬/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)電極,用細探針操作,掀起圖形化金屬即金屬/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)電極的一角,石墨烯會粘附在金屬下表面,與襯底分離;
3-2)用粗探針操作,蘸取少量銦鎵合金作為膠,粘住被掀起金屬/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)電極的一角,將電極挑起,挑離襯底表面;
3-3)通過顯微鏡觀察,將電極放到包括晶體管溝道上的目標位置,即完成了一個石墨烯電極的轉(zhuǎn)移;
3-4)重復(fù)以上3-1)至3-3)步驟完成所有電極的轉(zhuǎn)移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備與轉(zhuǎn)移方法,其特征是,
步驟1)中化學(xué)氣相沉積生長石墨烯的方法如下:將拋光后的銅箔剪成若干小塊,放進管式石英爐內(nèi)并抽真空,之后通入H2、Ar、CH4混合氣體,其中H2的流量為200sccm,Ar的流量為380sccm,CH4的流量為200sccm;然后將爐體升溫至1035℃并維持2小時,最后關(guān)閉加熱并取出銅箔,便在銅箔上得到石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備與轉(zhuǎn)移方法,其特征是,步驟1)中,轉(zhuǎn)移石墨烯的方法如下:在生長過石墨烯的金屬箔上旋涂PMMA并剪成小塊,粘貼到膠帶上;將膠帶放入FeCl3/HCl混合溶液,腐蝕金屬箔,隨后進行數(shù)次水洗、H2O2/HCl混合稀溶液酸洗,再把膠帶貼合到襯底上,加熱烘干;然后除去膠帶,將覆蓋有石墨烯的襯底先后放入丙酮、乙酸中浸泡,最后在H2/Ar氛圍下用350℃退火30分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備與轉(zhuǎn)移方法,其特征是,步驟2)中,對石墨烯進行摻雜:將覆蓋有石墨烯后的襯底用丙酮浸泡,取出吹干,然后在紫外臭氧環(huán)境下處理20-30分鐘,得到P型摻雜的石墨烯,摻雜程度與處理時間有關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備與轉(zhuǎn)移方法,其特征是,圖形化金屬的沉積借助掩膜版,采用不破壞石墨烯的真空熱蒸鍍、磁控濺射或電子束蒸鍍沉積方法,金屬層是金、銀、鋁、鈷、鎳、鈀、鉑以及它們的多層結(jié)構(gòu)或者合金,金屬層的厚度為80-200納米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





