[發明專利]一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法有效
| 申請號： | 201710315937.1 | 申請日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN107213904B | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發明（設計）人： | 林志東;羅京;楊靜;朱春花;付萍;陳喆 | 申請（專利權）人： | 武漢工程大學 |
| 主分類號： | B01J23/881 | 分類號： | B01J23/881;B01J35/02;C07C45/38;C07C47/052;C07D301/04;C07D303/04;C01G49/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 活性 暴露 單斜 鉬酸 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：首先將硝酸鐵水溶液和鉬酸鈉水溶液混合后調節pH至0.6-1.0，再加入硝酸鈉或氟化鈉作為晶面控制劑，加熱混合溶液進行水熱反應，分離得高活性、(100)晶面暴露的Fe2(MoO4)3粉體。
2.根據權利要求1所述的一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于：硝酸鐵水溶液和鉬酸鈉水溶液混合時，鉬酸鈉與硝酸鐵的摩爾比為3:2。
3.根據權利要求2所述的一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于：硝酸鐵水溶液和鉬酸鈉水溶液的濃度均為0.1-5mol/L。
4.根據權利要求1所述的一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于：晶面控制劑硝酸鈉或氟化鈉的加入量分別是硝酸鐵摩爾量的5-10倍或0.5-2倍。
5.根據權利要求1所述的一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于：水熱反應溫度為150-180℃，反應時間為4-24h。
6.根據權利要求1所述的一種高活性、晶面暴露的單斜晶型鉬酸鐵納米片的制備方法，其特征在于：水熱反應完成后經抽濾、洗滌、干燥得到Fe2(MoO4)3粉體，干燥溫度控制在80-120℃。
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