[發(fā)明專利]利用雙暗態(tài)系統(tǒng)測(cè)量微波電場(chǎng)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710315832.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106932657B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭延?xùn)|;張仲健;汪金陵;李晨;任廷琦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R29/12 | 分類號(hào): | G01R29/12 |
| 代理公司: | 濟(jì)南領(lǐng)升專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37246 | 代理人: | 王吉勇;崔苗苗 |
| 地址: | 266590 山東省青*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 雙暗態(tài) 系統(tǒng) 測(cè)量 微波 電場(chǎng) 方法 | ||
1.一種利用雙暗態(tài)系統(tǒng)測(cè)量微波電場(chǎng)的方法,其特征是,所述雙暗態(tài)系統(tǒng)是在四能級(jí)系統(tǒng)基礎(chǔ)上,加以輔助能級(jí)態(tài)矢5S1/2(F=2)耦合態(tài)矢5P3/2構(gòu)成五能級(jí)系統(tǒng),從而形成雙暗態(tài)系統(tǒng),具體方法包括以下在室溫條件下進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)步驟:
1)由外腔半導(dǎo)體激光器提供780nm的激光先通過(guò)二向色鏡分成兩束光一束作為探測(cè)光,另一束作為耦合光,它們分別經(jīng)過(guò)半波片和偏振分束器同向進(jìn)入銣原子汽室;
2)兩個(gè)半波片分別調(diào)節(jié)探測(cè)光場(chǎng)和耦合光場(chǎng)的入射光強(qiáng),使得耦合場(chǎng)探測(cè)場(chǎng);
3)將探測(cè)光鎖定在銣里德堡原子5S1/2(F=1)→5P3/2躍遷線上,將控制光鎖定在銣里德堡態(tài)原子5S1/2(F=2)→5P3/2躍遷線上;
4)倍頻激光器提供波長(zhǎng)為480nm耦合光,調(diào)節(jié)480nm耦合光在能級(jí)5P3/2→53D5/2共振頻率耦合;
5)由微波模擬信號(hào)發(fā)生器提供頻率范圍10kHz-10GHz且功率可調(diào)的微波信號(hào),耦合里德堡原子53D5/2→54P3/2之間的躍遷,導(dǎo)致里德堡原子的電磁誘導(dǎo)透明系統(tǒng)的透射峰發(fā)生分裂;
6)最后用光電探測(cè)器檢測(cè)探測(cè)光的吸收特性,由透射峰線寬間距表征微波信號(hào)的電場(chǎng)強(qiáng)度;
上述實(shí)驗(yàn)方法的理論模擬如下:
由密度矩陣,在旋轉(zhuǎn)波近似的情況下求得線性極化率χ(1):
N是原子數(shù)密度,為1.4×1027m-3,λp是探測(cè)光場(chǎng)的波長(zhǎng),為780nm,Δp是探測(cè)場(chǎng)躍遷的失諧量,Ωp是探測(cè)場(chǎng)的拉比頻率,Ωc1、Ωc2分別是780nm控制光、480nm耦合光的拉比頻率Ωc1=Ωc2=10GHz,γ41是態(tài)矢5P3/2到態(tài)矢5S1/2(F=1)的衰減速率,Γ41自發(fā)輻射的衰減速率,i代表虛數(shù)符號(hào),Ωrf代表微波源的拉比頻率;
通過(guò)上述函數(shù)關(guān)系,得到極化率隨射頻場(chǎng)的吸收色散關(guān)系;
通過(guò)大量模擬數(shù)據(jù),關(guān)于射頻場(chǎng)與透射峰線寬間距關(guān)系,擬合成一條曲線,從曲線看出透射峰線寬間距與微波信號(hào)角頻率成正比例關(guān)系,五能級(jí)系統(tǒng)微波電場(chǎng)計(jì)可探測(cè)頻譜范圍10kHz-10GHz電場(chǎng),為了直觀的顯示透射峰線寬間距與微波信號(hào)角頻率成線性關(guān)系,選取頻譜范圍0.1GHz-1GHz測(cè)量,且Ωrf=1.4Δf,ERF代表微波電場(chǎng)強(qiáng)度,η是普朗克常量,大小為1.054571628×10-34J·s,是里德堡態(tài)躍遷矩陣元,大小為3611ea0,e為電子電荷,a0是玻爾半徑,Δf代表透射峰線寬間距,用此方程關(guān)系式求得微波電場(chǎng)強(qiáng)度,算出五能級(jí)系統(tǒng)微波電場(chǎng)計(jì)探測(cè)電場(chǎng)靈敏度是四能級(jí)系統(tǒng)的7.3倍,理論探測(cè)的最小電場(chǎng)1nm/cm,是四能級(jí)系統(tǒng)的100倍,經(jīng)驗(yàn)證,該理論模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果是一致的。
2.如權(quán)利要求1所述的利用雙暗態(tài)系統(tǒng)測(cè)量微波電場(chǎng)的方法,其特征是,所述步驟1)中的探測(cè)光的偏振為垂直偏振,耦合光的偏振為水平偏振。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R29-00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各組中的電量的測(cè)量或指示裝置
G01R29-02 .單個(gè)脈沖特性的測(cè)量,如脈沖平度的偏差、上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間
G01R29-04 .形狀因數(shù)的測(cè)量,即瞬時(shí)值的均方根值和算術(shù)平均值的商;峰值因數(shù)的測(cè)量,即最大值和均方根值的商
G01R29-06 .調(diào)制深度的測(cè)量
G01R29-08 .電磁場(chǎng)特性的測(cè)量
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