[發明專利]一種上電復位電路

在審

• 申請號: 201710314908.3
• 申請日: 2017-05-07
• 公開（公告）號: CN107196632A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長沙方星騰電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;H03K17/284
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種上電復位電路，其特征在于，包括偏置電流產生模塊和上電復位模塊，偏置電流產生模塊的輸出U_OUT1接上電復位模塊的輸入IN。

2.如權利要求1所述的上電復位電路，其特征在于：所述偏置電流產生模塊包括：由第一PMOS晶體管P1、第一NMOS晶體管N1和第二NMOS晶體管N2構成的啟動電路以及第二PMOS晶體管P2、第三PMOS晶體管P3、第三NMOS晶體管N3、第四NMOS晶體管N4和第一電阻R1構成的偏置電流電路；第一PMOS晶體管P1的源極接電源，柵極和漏極相連并與第一NMOS晶體管N1的漏極和第二NMOS晶體管N2的柵極相接；第一NMOS晶體管N1的源極接地，柵極與第四NMOS晶體管N4的柵極相接；第二NMOS晶體管N2的源極接地，漏極接第二PMOS管P2的漏極及第三NMOS管N3的漏極；第二PMOS晶體管P2的源極接電源，柵極和漏極連接并接第三PMOS晶體管P3的柵極；第三PMOS晶體管P3的源極接電源，漏極接第四NMOS晶體管N4的漏極并作為輸出電壓端Uout1；第三NMOS晶體管N3的漏極接第二PMOS晶體管P2的漏極，源極接地，柵極接第四NMOS晶體管N4的柵極；第四NMOS晶體管N4的漏極和柵極相連作為輸出電壓端Uout1，源極接第一電阻R1的一端，第一電阻R1的另一端接地。

3.如權利要求1或2所述的上電復位電路，其特征在于，所述上電復位模塊包括第四PMOS晶體管P11、第五PMOS晶體管P12、第五NMOS晶體管N10、第二電阻R2、電容C1和反相器INV1；第五NMOS晶體管N10的柵極接輸入IN，源極接地，漏極接第四PMOS晶體管P11的柵極和漏極以及第五PMOS晶體管P12的柵極；第四PMOS晶體管P11的源極接電源；第五PMOS晶體管P12的源極接電源，漏極接第二電阻R2和電容C1的一端以及反相器的輸入；第二電阻R2和電容C1的另一端接地；反相器INV1的輸出接輸出U_OUT2。