[發明專利]一種磁疇偏轉模型建立方法及裝置有效
| 申請號: | 201710313713.7 | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN107037383B | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 王亞文;谷愛昱;嚴柏平;江偉 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | G01R33/18 | 分類號: | G01R33/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 張春水;唐京橋 |
| 地址: | 510062 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 偏轉 模型 建立 方法 裝置 | ||
1.一種磁疇偏轉模型建立方法,其特征在于,包括:
S1:在預定的應力和磁場作用下,獲取超磁致伸縮材料內單疇顆粒的預定的自由能公式,其中,預定的自由能公式為:
其中,H為磁場;Ms為飽和磁化強度;K1和K2為立方晶磁各向異性常數;σ為應力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數;為場方向;為應力方向,為磁化方向;μ0為磁導率;
S2:通過預定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應力各向異性能公式,通過所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應力各向異性能公式,獲取預定的磁化強度矢量方向上的磁化強度公式:
其中,σ為預定的應力;H為預定的磁場;為預定的磁化強度矢量;為磁化方向;Efield為磁化能;Ean為磁晶各向異性能;Eσ為應力各向異性能;K為歸一化常數;ω為電位分布參數;
S3:對所述磁化強度公式分別進行對應力和磁場的偏導運算,獲取對應的偏導函數;
S4:將所述偏導函數代入預定的磁化密度增量公式中,獲取預定的磁場增量值,獲取磁化密度增量的計算結果。
2.根據權利要求1所述的磁疇偏轉模型建立方法,其特征在于,預定的磁化密度增量公式為:
其中,ΔB,ΔH,Δσ分別為磁化密度增量,磁場增量和應力增量。
3.根據權利要求2所述的磁疇偏轉模型建立方法,其特征在于,磁化密度等于磁化強度與相對磁導率的乘積。
4.一種磁疇偏轉模型建立裝置,其特征在于,包括:
第一獲取單元,用于在預定的應力和磁場作用下,獲取超磁致伸縮材料內單疇顆粒的預定的自由能公式;
其中,預定的自由能公式為:
其中,H為磁場;Ms為飽和磁化強度;K1和K2為立方晶磁各向異性常數;σ為應力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數;為場方向;為應力方向,為磁化方向;μ0為磁導率;
第二獲取單元,用于通過預定的自由能公式獲取預定的方向上的磁化強度公式;
所述第二獲取單元具體包括:
獲取子單元,具體用于通過預定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應力各向異性能公式,通過所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應力各向異性能公式,獲取預定的磁化強度矢量方向上的磁化強度公式:
其中,σ為預定的應力;H為預定的磁場;為預定的磁化強度矢量;為磁化方向;Efield為磁化能;Ean為磁晶各向異性能;Eσ為應力各向異性能;K為歸一化常數;ω為電位分布參數;
偏導單元,用于對所述磁化強度公式分別進行對應力和磁場的偏導運算,獲取對應的偏導函數;
第三獲取單元,用于將所述偏導函數代入預定的磁化密度增量公式中,獲取預定的磁場增量值,獲取磁化密度增量的計算結果。
5.根據權利要求4所述的磁疇偏轉模型建立裝置,其特征在于,預定的磁化密度增量公式為:
其中,ΔB,ΔH,Δσ分別為磁化密度增量,磁場增量和應力增量。
6.根據權利要求5所述的磁疇偏轉模型建立裝置,其特征在于,磁化密度等于磁化強度與相對磁導率的乘積。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東工業大學,未經廣東工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710313713.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:金屬罐(三片式?雙頭螺紋)
- 下一篇:包裝盒(桃)





