[發(fā)明專利]功率變換器、電感元件以及電感切除控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710313117.9
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN108809079B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周錦平;周敏;辛張楠;鄒莘劍
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達電子企業(yè)管理（上海）有限公司
• 主分類號: H02M3/04
• 分類號: H02M3/04;H02M1/14
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 姜怡;王衛(wèi)忠

1.一種N相功率變換器，其中，N為大于3的自然數(shù)，所述N相功率變換器的每一相的輸入并聯(lián)、輸出并聯(lián)，所述N相功率變換器包括：

N個開關(guān)單元，其中所述N相功率變換器的每一相包含所述N個開關(guān)單元中的一個；以及

一集成電感單元，所述集成電感單元包括M個電感子單元，M為大于等于2的自然數(shù)，每個電感子單元包括i個電感，i為大于等于2的自然數(shù)，且N>M*i或N＝M*i，所述集成電感單元中的M*i個所述電感分別耦接所述N個開關(guān)單元中的M*i個開關(guān)單元，其中：

每個所述電感子單元的所述i個電感彼此反耦合，所述M個電感子單元之間的耦合系數(shù)小于每個所述電感子單元內(nèi)所述i個電感之間的耦合系數(shù)，

其中，任一所述電感子單元至少與另一所述電感子單元共用一公共磁柱，且所述公共磁柱無氣隙。

2.如權(quán)利要求1所述的N相功率變換器，其中，所述M個電感子單元之間的耦合系數(shù)小于0.2。

3.如權(quán)利要求1所述的N相功率變換器，其中，任一所述電感子單元的所述i個電感產(chǎn)生的磁通不流經(jīng)其他所述電感子單元的所述i個電感。

4.如權(quán)利要求1所述的N相功率變換器，其中，所述M個電感子單元并排排列為一行，且相鄰的兩個所述電感子單元共用一所述公共磁柱，相鄰的兩個所述電感子單元內(nèi)的2*i個所述電感產(chǎn)生的磁通均流經(jīng)該公共磁柱。

5.如權(quán)利要求1所述的N相功率變換器，其中，所述電感子單元包括：

i個第一磁柱，所述i個第一磁柱均與至少一所述公共磁柱耦接，i個氣隙分別形成于所述i個第一磁柱；以及

i個繞組，所述i個繞組分別繞設(shè)于所述i個第一磁柱用于形成所述i個電感。

6.如權(quán)利要求5所述的N相功率變換器，其中，在M*i個所述開關(guān)單元分別動作時，所述i個繞組中的第x個繞組在所述第x個繞組繞設(shè)的第x個所述第一磁柱中產(chǎn)生的直流磁通方向，與其他i-1個所述繞組在第x個所述第一磁柱中產(chǎn)生的直流磁通方向相反。

7.如權(quán)利要求5所述的N相功率變換器，其中，所述i個繞組分別包覆所述i個氣隙。

8.如權(quán)利要求5所述的N相功率變換器，其中，所述電感子單元還包括第二磁柱，所述第二磁柱與至少一所述公共磁柱耦接，所述第二磁柱上具有氣隙，且所述第二磁柱上不設(shè)置繞組。

9.如權(quán)利要求1所述的N相功率變換器，其中，每個所述電感子單元包括：

一第三磁柱，所述第三磁柱上具有一氣隙；以及

一第一繞組和一第二繞組，所述第一繞組和所述第二繞組均繞設(shè)于所述第三磁柱，用以形成所述i個電感中的兩個；

其中，在M*i個所述開關(guān)單元分別動作時，所述第一繞組在所述第三磁柱中產(chǎn)生的直流磁通方向，與所述第二繞組在所述第三磁柱中產(chǎn)生的直流磁通方向相反。

10.如權(quán)利要求9所述的N相功率變換器，其中，所述第三磁柱與至少一所述公共磁柱耦接，所述電感子單元內(nèi)的所述i個電感的數(shù)量i等于2。

11.如權(quán)利要求9所述的N相功率變換器，其中，所述第三磁柱與所述公共磁柱彼此平行且交替排布，所述電感子單元內(nèi)的所述i個電感的數(shù)量i等于2。

12.如權(quán)利要求1中所述的N相功率變換器，其中，

任一所述電感子單元的所述i個電感中第x個所述電感產(chǎn)生的直流磁通流經(jīng)該電感子單元的其他i-1個所述電感，且所述第x個所述電感產(chǎn)生的直流磁通方向與該電感子單元的其他i-1個所述電感產(chǎn)生的直流磁通流經(jīng)該第x個所述電感的方向相反，且所述第x個所述電感產(chǎn)生的直流磁通不流經(jīng)其他所述電感子單元的所述i個電感。