[發明專利]一種基于三聚氰胺納米銀復合材料修飾電極速測硫化物的方法

有效

• 申請號: 201710313023.1
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN107179341B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 王樺;劉敏;馮路平;華玥;段志強;陳麗君
• 申請（專利權）人: 曲阜師范大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 李桂存

1.一種基于三聚氰胺納米銀復合材料修飾電極速檢硫化物的方法，其特征在于：首先通過三聚氰胺與硝酸銀反應制備具有高導電性的三聚氰胺納米銀復合材料，然后加入全氟磺酸溶液，利用其成膜特性，將三聚氰胺納米銀復合材料固定于玻碳電極表面；在氯離子濃度為20～180 mM的磷酸鹽緩沖溶液中，固定于玻碳電極表面的三聚氰胺納米銀復合材料中的納米銀與氯離子作用生成氯化銀，玻碳電極獲得尖銳的Ag / AgCl固相電信號響應峰，氯化銀被待測樣品的硫化物置換成硫化銀，引起其相應的電信號峰值的大幅度降低，從而實現對硫化物的快速測定；具體包括以下步驟：

1）制備三聚氰胺納米銀復合材料

將三聚氰胺加入到水中，加熱溶解為10～60 mM的水溶液，冷卻至室溫，攪拌下加入濃度為10～60 mM硝酸銀水溶液，混勻，靜置，離心，超純水和乙醇各洗滌3次，烘干,制得三聚氰胺納米銀復合材料；

2）修飾電極

將制得的三聚氰胺納米銀復合材料分散到超純水中得三聚氰胺納米銀復合材料水分散液，然后加入全氟磺酸溶液，混勻后，用移液槍移取并修飾到電極表面，自然晾干，得三聚氰胺納米銀復合材料修飾電極；

3）測定待測樣品中硫化物含量

ⅰ）溶液配制

配制濃度梯度含待測硫離子的標準溶液：待測硫離子標準品溶液加入到PBS緩沖溶液中，逐級稀釋為硫離子的濃度范圍為0.5～512 μM的標準溶液；

配制待測樣品溶液：取5毫升血漿樣品，加入EDTA后在離心管中3000 rpm離心15分鐘，收集上清液，取500微升上清液，加入稀鹽酸，以三苯基膦為催化劑，加入乙腈，存在于樣品中的蛋白質產生沉淀，用離心機6000 rpm離心20 min后除去蛋白質沉淀，收集上清液；用體積比1:1的水/乙腈溶液稀釋至2 mL后加入到PBS緩沖溶液中，逐級稀釋為0.5～512 μM的濃度梯度含硫離子的待測樣品溶液；

ⅱ）建立標準曲線

將步驟2）中制得的三聚氰胺納米銀復合材料修飾電極通過三電極體系在含氯離子濃度為20～180 mM的磷酸鹽緩沖溶液中進行線性掃描，通過三聚氰胺納米銀復合材料中納米銀與氯離子作用生成氯化銀，電極獲得尖銳的Ag / AgCl固相電信號響應峰，然后加入配制的濃度梯度含待測硫離子的標準溶液，將氯化銀置換成硫化銀，引起其相應的電信號峰值的大幅度降低，進而通過對比兩組電信號峰的差值，得到硫離子濃度-峰電流差值的標準曲線；

ⅲ）待測樣品中硫離子含量的測定

將步驟2）中制得的三聚氰胺納米銀復合材料修飾電極通過三電極體系在氯離子濃度為20～180 mM的磷酸鹽緩沖溶液中進行線性掃描，通過三聚氰胺納米銀復合材料中納米銀與氯離子作用生成氯化銀，電極獲得尖銳的Ag / AgCl固相電信號響應峰，然后加入配制的濃度梯度含硫離子的待測樣品溶液，通過對比兩組電信號峰的差值，根據硫離子濃度-峰電流差值的標準曲線，確定硫離子含量。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硫化物為半胱氨酸或者含有S^2-、S_x^2-、S₂O₃^2--離子的硫化物。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1）中，三聚氰胺在水中的加熱溶解溫度為70 ℃，所述的靜置時間為1～2 h；所述的烘干溫度為40 ℃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1）中，三聚氰胺水溶液和硝酸銀水溶液體積比為1:1；三聚氰胺水溶液濃度為40 mM，硝酸銀水溶液濃度為20 mM。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2）中，三聚氰胺納米銀復合材料在超純水中的分散濃度為1.0～8.0 mg/mL；全氟磺酸溶液與三聚氰胺納米銀復合材料水分散液體積比為1:50，所述的全氟磺酸溶液為5% nafion溶液；修飾到電極表面上的三聚氰胺納米銀復合材料的體積為2.5 μL。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：三聚氰胺納米銀復合材料在超純水中的分散濃度為5.0 mg/mL；所述的電極為玻碳電極。