[發(fā)明專利]用于工藝感知維度目標(biāo)的先進(jìn)工藝控制

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710312573.1
• 申請(qǐng)日: 2017-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107579012B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·亞申斯基;F·卡倫貝格;S·克蘭普;R·席翁;R·澤爾特曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G06K9/20
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種用于工藝感知維度目標(biāo)的先進(jìn)工藝控制方法，該先進(jìn)工藝控制方法包含：

根據(jù)由數(shù)個(gè)工藝規(guī)格組成的初始集合在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行工藝，進(jìn)行該工藝能形成有由數(shù)個(gè)特征組成的圖案的圖案化區(qū)域；

測(cè)量目標(biāo)特征在該圖案中的參數(shù)以獲取參數(shù)值，該目標(biāo)特征是從在該圖案中的所有所述特征選出；

訪問(wèn)偏移數(shù)據(jù)庫(kù)以獲取該偏移數(shù)據(jù)庫(kù)中與該目標(biāo)特征關(guān)聯(lián)的偏移量；

應(yīng)用該偏移量于該參數(shù)值以獲取調(diào)整參數(shù)值；

基于該調(diào)整參數(shù)值與用于所述特征的目標(biāo)參數(shù)值之間的差額，調(diào)整該工藝規(guī)格的初始集合的所述工藝規(guī)格中的至少一者以產(chǎn)生工藝規(guī)格的調(diào)整集合；以及，

根據(jù)該工藝規(guī)格的調(diào)整集合，在該半導(dǎo)體晶圓的不同區(qū)域上或者是在不同半導(dǎo)體晶圓上重復(fù)該工藝，以形成由該數(shù)個(gè)特征組成的該圖案的第二圖案化區(qū)域，

其中，在該重復(fù)期間，該工藝規(guī)格的調(diào)整集合用以最小化在該第二圖案化區(qū)域中由該數(shù)個(gè)特征組成的該圖案中的特征的該目標(biāo)參數(shù)值與實(shí)際參數(shù)值之間的變異，以及

其中，該目標(biāo)參數(shù)值為設(shè)計(jì)目的設(shè)定成使用該工藝達(dá)成正在形成的積體電路結(jié)構(gòu)的最佳效能及使用該工藝避免正在形成的該積體電路結(jié)構(gòu)失效的至少一者。

2.如權(quán)利要求1所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中，該參數(shù)為一維度，該參數(shù)值為該維度的測(cè)量值，以及該目標(biāo)參數(shù)值為該維度的設(shè)計(jì)規(guī)定值。

3.如權(quán)利要求1所述的先進(jìn)工藝控制方法，還包含，在進(jìn)行該工藝之前，開(kāi)發(fā)該偏移數(shù)據(jù)庫(kù)，其中開(kāi)發(fā)該偏移數(shù)據(jù)庫(kù)包含：

根據(jù)該工藝規(guī)格的初始集合，在測(cè)試晶圓上進(jìn)行該工藝以便形成具有由特征組成的該圖案的測(cè)試區(qū)域；

測(cè)量所述特征中的每一者在該測(cè)試區(qū)域中的該參數(shù)以獲取所有所述特征的測(cè)試參數(shù)值；

基于所述測(cè)試參數(shù)值，確定參數(shù)值分布以及該分布的平均參數(shù)值；

確定該平均參數(shù)值與所述測(cè)試參數(shù)值中的每一者之間的偏移量；以及，

儲(chǔ)存所述偏移量于該偏移數(shù)據(jù)庫(kù)中。

4.如權(quán)利要求1所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中該工藝包含一光刻工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中，該工藝包含蝕刻工藝。

6.一種用于工藝感知維度目標(biāo)的先進(jìn)工藝控制方法，該先進(jìn)工藝控制方法包含：

使用特定標(biāo)線片且根據(jù)由數(shù)個(gè)光刻規(guī)格組成的初始集合，在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行光刻工藝，進(jìn)行該光刻工藝能從光阻層形成具有由數(shù)個(gè)特征組成的圖案的掩模；

測(cè)量目標(biāo)特征在該圖案中的參數(shù)以獲取參數(shù)值，該目標(biāo)特征是從在該圖案中的所有所述特征選出；

訪問(wèn)光刻工藝偏移數(shù)據(jù)庫(kù)以獲取該偏移數(shù)據(jù)庫(kù)中與該目標(biāo)特征關(guān)聯(lián)的偏移量；

應(yīng)用該偏移量于該參數(shù)值以獲取調(diào)整參數(shù)值；

基于該調(diào)整參數(shù)值與用于所述特征的目標(biāo)參數(shù)值之間的差額，調(diào)整該初始集合的所述光刻規(guī)格中的至少一者以產(chǎn)生光刻規(guī)格的調(diào)整集合；以及，

根據(jù)該光刻規(guī)格的調(diào)整集合，在該半導(dǎo)體晶圓的不同區(qū)域上或者是在不同半導(dǎo)體晶圓上重復(fù)該光刻工藝，以形成由該數(shù)個(gè)特征組成的該圖案的第二掩模，

其中，在該重復(fù)期間，該光刻規(guī)格的調(diào)整集合用以最小化在該第二掩模中由該數(shù)個(gè)特征組成的該圖案中的特征的該目標(biāo)參數(shù)值與實(shí)際參數(shù)值之間的變異，以及

其中，該目標(biāo)參數(shù)值為設(shè)計(jì)目的設(shè)定成使用該光刻工藝達(dá)成正在形成的積體電路結(jié)構(gòu)的最佳效能及使用該光刻工藝避免正在形成的該積體電路結(jié)構(gòu)失效的至少一者。

7.如權(quán)利要求6所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中，該參數(shù)為維度，該參數(shù)值為該維度的測(cè)量值，以及該目標(biāo)參數(shù)值為該維度的設(shè)計(jì)規(guī)定值。

8.如權(quán)利要求6所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中，該參數(shù)為最小寬度，該參數(shù)值為寬度測(cè)量值，以及該目標(biāo)參數(shù)值為該最小寬度的設(shè)計(jì)規(guī)定值。

9.如權(quán)利要求6所述的先進(jìn)工藝控制方法，其中，所述光刻規(guī)格中的該至少一者包含曝光能量。