[發(fā)明專(zhuān)利]在線(xiàn)改良晶圓表面平坦度的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710312284.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107195547B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王佩佩;李弘愷;金軍;路新春;沈攀 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 清華大學(xué);天津華海清科機(jī)電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/321 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/321;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司: | 11201 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 10008*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 在線(xiàn) 改良 表面 平坦 方法 | ||
1.一種在線(xiàn)改良晶圓表面平坦度的方法,所述方法應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)型CMP設(shè)備上,其特征在于,所述CMP設(shè)備包括拋光頭及其壓力在線(xiàn)調(diào)節(jié)控制系統(tǒng),所述拋光頭包括多個(gè)壓力分區(qū),所述方法包括:
確定晶圓表面材料層上的基準(zhǔn)區(qū);
獲取所述多個(gè)壓力分區(qū)對(duì)應(yīng)的晶圓表面分區(qū)的材料層厚度值;
根據(jù)所述基準(zhǔn)區(qū)的材料層厚度值與其余各分區(qū)的材料層厚度值,將所述其余各分區(qū)的材料層厚度值分別與所述基準(zhǔn)區(qū)的材料層厚度值相差,得到所述其余各分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差;
判斷當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差是否大于第一閾值;
如果所述當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差大于所述第一閾值,則計(jì)算所述各壓力分區(qū)的當(dāng)前壓力值與預(yù)設(shè)的壓力調(diào)節(jié)量之間的和值,并將所述和值作為所述當(dāng)前分區(qū)對(duì)應(yīng)的壓力分區(qū)新的壓力值;
如果所述當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差小于或等于所述第一閾值,則進(jìn)一步判斷所述當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差是否大于或等于第二閾值,其中,所述第一閾值大于所述第二閾值;
如果所述當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差大于或等于所述第二閾值,則將所述各壓力分區(qū)的當(dāng)前壓力值作為所述當(dāng)前分區(qū)對(duì)應(yīng)的壓力分區(qū)新的壓力值;
如果所述當(dāng)前分區(qū)與所述基準(zhǔn)區(qū)之間的厚度偏差小于所述第二閾值,則計(jì)算所述各壓力分區(qū)的當(dāng)前壓力值與所述壓力調(diào)節(jié)量之間的差值,并將所述差值作為所述當(dāng)前分區(qū)對(duì)應(yīng)的壓力分區(qū)新的壓力值;
根據(jù)所述各壓力分區(qū)新的壓力值,控制所述拋光頭對(duì)所述晶圓表面進(jìn)行材料去除。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述各壓力分區(qū)的壓力調(diào)節(jié)量、所述第一閾值以及所述第二閾值的大小分別由所述各壓力分區(qū)與所述晶圓表面對(duì)應(yīng)分區(qū)去除率之間的關(guān)系及工藝需求所確定。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述多個(gè)壓力分區(qū)為5個(gè),每個(gè)壓力分區(qū)的形狀為環(huán)狀。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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