[發明專利]基于量子阱結構的光開關器件有效
| 申請號: | 201710312256.X | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN107248536B | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發明(設計)人: | 楊春;宋振杰;賈少鵬 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/11 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210009 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 量子 結構 開關 器件 | ||
1.一種基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:包括襯底(1),襯底上生長緩沖層(2),緩沖層上生長量子阱有源層;其中,量子阱有源層從上到下依次包括第一勢壘層(8)、第一隔離層(7)、第一溝道層(6)、第二溝道層(5)、第二隔離層(4)和第二勢壘層(3)。
2.根據權利要求1所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:第二溝道層為空穴阱或電子阱。
3.根據權利要求1所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:量子阱有源層上表面設有共面波導電極,包括第一電極(9),第二電極(10),第三電極(11),第四電極(12),第五電極(17)和第六電極(18);
第三電極(11)和第四電極(12)與量子阱有源層上表面為歐姆接觸,與第二溝道層連通,并與第一勢壘層、第一隔離層、第一溝道層通過絕緣層隔離。
4.根據權利要求1所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:光信號從器件上表面入射或器件下表面入射或同時從上、下表面入射。
5.根據權利要求1所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:第一溝道層(6)和第二溝道層(5)之間分布有光吸收夾層(21)。
6.根據權利要求3所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:第一電極(9)和第二電極(10)為叉指型電極結構。
7.根據權利要求4所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:光信號是單波長光信號,是一個調制光信號;或者是含有多個光波長的光信號,每個光波長的幅度和相位都可以被調制;或者是用于控制的光脈沖和被調制的光信號的拍頻信號。
8.根據權利要求1所述的基于量子阱結構的光開關器件,其特征在于:器件的上表面和下表面設有增加光信號透過率的增透膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





