[發明專利]像素界定層及其制造方法、顯示基板有效
| 申請號: | 201710312218.4 | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN106941112B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 侯文軍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 及其 制造 方法 顯示 | ||
1.一種像素界定層,其特征在于,包括:
層疊設置的第一疏液材料層、親液材料層和第二疏液材料層,所述親液材料層由親液材料制成,所述親液材料為對溶解有有機電致發光材料的溶液有吸引性的材料,所述第一疏液材料層和所述第二疏液材料層均由疏液材料制成,所述疏液材料為對所述溶解有有機電致發光材料的溶液有排斥性的材料;
其中,所述像素界定層為奇數層的層級結構,所述第一疏液材料層的疏液能力小于所述第二疏液材料層的疏液能力。
2.根據權利要求1所述的像素界定層,其特征在于,
所述第二疏液材料層的厚度大于所述第一疏液材料層的厚度,且所述第二疏液材料層的厚度大于所述親液材料層的厚度。
3.根據權利要求2所述的像素界定層,其特征在于,
所述第二疏液材料層的厚度為100納米至3微米;
所述第一疏液材料層的厚度為20納米至200納米;
所述親液材料層的厚度為50納米至500納米。
4.根據權利要求1至3任一所述的像素界定層,其特征在于,
所述疏液材料為氟化聚酰亞胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯和聚硅氧烷中的任意一種;
所述親液材料為二氧化硅或氮化硅。
5.一種像素界定層的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上形成第一疏液材料層;
在形成有所述第一疏液材料層的襯底基板上形成親液材料層,所述親液材料層由親液材料制成,所述親液材料為對溶解有有機電致發光材料的溶液有吸引性的材料;
在形成有所述親液材料層的襯底基板上形成第二疏液材料層,所述第一疏液材料層和所述第二疏液材料層均由疏液材料制成,所述疏液材料為對所述溶解有有機電致發光材料的溶液有排斥性的材料;
其中,所述像素界定層為奇數層的層級結構,所述第一疏液材料層的疏液能力小于所述第二疏液材料層的疏液能力。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,
所述第二疏液材料層的厚度大于所述第一疏液材料層的厚度,且所述第二疏液材料層的厚度大于所述親液材料層的厚度。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
所述第二疏液材料層的厚度為100納米至3微米;
所述第一疏液材料層的厚度為50納米至500納米;
所述親液材料層的厚度為20納米至200納米。
8.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:襯底基板以及設置在所述襯底基板上的像素界定層,所述像素界定層為所述權利要求1至4任一所述的像素界定層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





