[發明專利]晶圓平坦度測量裝置及晶圓平坦度測量系統在審
| 申請號: | 201710312102.0 | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN108807204A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 劉源;牛景豪 | 申請(專利權)人: | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量腔 平面鏡 晶圓 平坦度測量裝置 室內 進氣口 平面鏡組件 測量系統 干燥氣體 超平面 平坦度 表面冷凝 干燥狀態 間隔排布 氣體管路 冷凝水 排氣口 平面相 種晶 平行 測量 側面 檢測 | ||
1.一種晶圓平坦度測量裝置,其特征在于,所述晶圓平坦度測量裝置包括:
測量腔室,所述測量腔室的頂部設有進氣口,所述測量腔室的底部設有排氣口;所述進氣口與一氣體管路相連通,適于向所述測量腔室內通入干燥氣體;
超平面鏡組件,位于所述測量腔室內;所述超平面鏡組件包括一對間隔排布的超平面鏡,兩個所述超平面鏡的間距大于待檢測晶圓的厚度;至少所述超平面鏡的內側面為超平面,兩個所述超平面鏡的超平面相平行。
2.根據權利要求1所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:所述進氣口及所述排氣口的數量均為一個,所述進氣口與所述排氣口上下對應設置;兩個所述超平面鏡分別位于所述進氣口及所述排氣口的兩側。
3.根據權利要求2所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:所述超平面鏡組件的豎直對稱軸與所述進氣口的中心軸及所述排氣口的豎直中心軸相重合。
4.根據權利要求1所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:所述進氣口及所述排氣口的數量均為兩個,所述進氣口與所述排氣口一一上下對應設置;兩個所述超平面鏡分別位于兩個所述進氣口的外側。
5.根據權利要求4所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:兩個所述超平面鏡的內側至與其相鄰的所述進氣口的豎直中心軸的間距相等。
6.根據權利要求5所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:兩個所述進氣口的間距大于或等于所述待檢測晶圓的厚度。
7.根據權利要求1所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:所述超平面鏡為玻璃超平面鏡。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的晶圓平坦度測量裝置,其特征在于:所述晶圓平坦度測量裝置還包括溫度控制裝置,所述溫度控制裝置位于所述進氣口處,適于控制通入所述測量腔室內的干燥氣體的溫度,以確保通入所述測量腔室內的干燥氣體保持在恒定的溫度。
9.一種晶圓平坦度測量系統,其特征在于,所述晶圓平坦度測量系統包括:
干燥氣體源,適于提供干燥氣體;
至少兩級如權利要求1至8中任一項所述的晶圓平坦度測量裝置;其中,第一級所述晶圓平坦度測量裝置的進氣口經由所述氣體管路與所述干燥氣體源相連通;其他級所述晶圓平坦度測量裝置的進氣口與位于其上一級的所述晶圓平坦度測量裝置的排氣口相連通,排氣口與位于其下一級的所述晶圓平坦度測量裝置的進氣口相連通。
10.根據權利要求9所述的晶圓平坦度測量系統,其特征在于:所述晶圓平坦度測量系統還包括干燥裝置,所述干燥裝置設置于所述干燥氣體源與第一級所述晶圓平坦度測量裝置之間的所述氣體管路上,適于對所述干燥氣體源提供的干燥氣體進一步進行干燥處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





