[發明專利]雙極性晶體管

有效

• 申請號: 201710311951.4
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN108807515B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 卓升;潘貞維
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/73
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種雙極性晶體管，其主要包含一射極區、一基極區以及一集極區，其中射極區的邊緣切齊基極區的邊緣。此外，基極區的邊緣切齊集極區的邊緣，射極區的邊緣同時切齊基極區與集極區的邊緣且射極區的邊緣寬度等于基極區的邊緣寬度。另外依據雙極性晶體管的一俯視角，基極區與集極區各包含矩形。

技術領域

本發明涉及一種具有低集極區與基極區面積的雙極性晶體管。

背景技術

雙極性晶體管主要由三部分摻雜程度不同的半導體材料所組成，其中晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN接面處的擴散作用和漂移運動。以NPN晶體管為例，按照設計，高摻雜的射極區域的電子，通過擴散作用運動到基極。在基極區域，空穴為多數載流子，而電子少數載流子。由于基極區域很薄，這些電子又通過漂移運動到達集極，從而形成集極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數載流子設備。雙極性晶體管能夠放大信號，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用來構成放大器電路，或驅動揚聲器、電動機等設備，并被廣泛地應用于航空航天工程、醫療器械和機器人等應用產品中。

然而至今雙極性晶體管的設計均仍不盡理想，特別是基極區域與集極區域所占據面積過大進而影響元件效能。因此如何改良現今的雙極性晶體管結構極為現今一重要課題。

發明內容

本發明公開一種雙極性晶體管，其主要包含一射極區、一基極區以及一集極區，其中射極區的邊緣切齊基極區的邊緣。此外，基極區的邊緣切齊集極區的邊緣，射極區的邊緣同時切齊基極區與集極區的邊緣且射極區的邊緣寬度等于基極區的邊緣寬度。另外依據雙極性晶體管的一俯視角，基極區與集極區各包含矩形。

本發明另一實施例公開一種雙極性晶體管，其主要包含一射極區、一基極區以及一集極區，其中各該射極區、該基極區以及該集極區包含一鰭狀結構。其中射極區、基極區以及集極區沿著一第一方向延伸而鰭狀結構則沿著一第二方向延伸。此外，射極區的邊緣切齊該基極區的邊緣，基極區的邊緣切齊集極區的邊緣，射極區的邊緣同時切齊基極區與集極區的邊緣且射極區的邊緣寬度等于基極區的邊緣寬度。另外依據雙極性晶體管的一俯視角，基極區與集極區各包含矩形。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例的一雙極性晶體管的一結構示意圖；

圖2為圖1中沿著切線AA'的剖面示意圖；

圖3為本發明第二實施例的一雙極性晶體管的一結構示意圖；

圖4為圖1中沿著切線BB'的剖面示意圖。

主要元件符號說明

12 基底 14 射極區

16 基極區 18 集極區

20 第一基極區 22 第二基極區

24 第一集極區 26 第二集極區

28 淺溝隔離 30 N阱

32 P阱 34 N阱

36 深N阱

42 基底 44 射極區

46 基極區 48 集極區

50 鰭狀結構 52 淺溝隔離

54 第一射極區 56 第二射極區