[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201710311944.4
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN108807547B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 蓋翠麗;王玲;張保俠
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王曉燕

本公開提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法。該薄膜晶體管包括：襯底基板以及設置于所述襯底基板上的金屬遮光層、第一有源層、柵電極、源電極和漏電極；設置于所述第一有源層和所述金屬遮光層之間的間隔層；其中，所述第一有源層包括溝道區，所述間隔層設置于所述溝道區和所述金屬遮光層之間。間隔層可以增加有源層的溝道區與金屬遮光層之間的間隔距離，以降低或消除有源層的溝道區與金屬遮光層之間的寄生電容問題，可以提高薄膜晶體管的電學性能。

技術領域

本公開至少一個實施例涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法。

背景技術

薄膜晶體管中的有源層在受光照的影響下，有源層中的光生載流子會增加，導致薄膜晶體管的漏電流增加。為避免上述現象，通常在薄膜晶體管中設置遮光層以阻止光照射到有源層上。但是，在遮光層為金屬材料的情況下，遮光層和有源層之間會產生寄生電容，該寄生電容會導致薄膜晶體管的漏電流增加，影響薄膜晶體管的電學性能。

公開內容

本公開至少一個實施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法以解決上述技術問題。

本公開至少一個實施例提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板以及設置于所述襯底基板上的金屬遮光層、第一有源層、柵電極、源電極和漏電極；設置于所述第一有源層和所述金屬遮光層之間的間隔層；其中，所述第一有源層包括溝道區，所述間隔層設置于所述溝道區和所述金屬遮光層之間。

例如，本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管，還可以包括：設置于所述第一有源層和所述金屬遮光層之間的緩沖層。

例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述間隔層為絕緣層；并且所述間隔層設置于所述第一有源層和所述緩沖層之間，和/或所述間隔層設置于所述金屬遮光層和所述緩沖層之間。

例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，所述間隔層為第二有源層，所述第二有源層設置于所述第一有源層和所述緩沖層之間，并且所述第二有源層的電阻率大于所述第一有源層的電阻率。

例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述間隔層在所述襯底基板上的投影與所述第一有源層的所述溝道區在所述襯底基板上的投影重合。

例如，在本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述間隔層在所述襯底基板上的投影與所述第一有源層在所述襯底基板上的投影重合。

本公開至少一個實施例提供一種陣列基板，包括上述任一實施例中的薄膜晶體管。

例如，本公開至少一個實施例提供的陣列基板，還可以包括：設置于所述襯底基板上的存儲電容，所述存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于所述第一電極和所述第二電極之間的介質層。

例如，在本公開至少一個實施例提供的陣列基板中，所述薄膜晶體管的所述金屬遮光層與所述第一電極為同層且同材料設置；和/或所述薄膜晶體管的所述柵電極與所述第二電極同層且同材料設置。

例如，在本公開至少一個實施例提供的陣列基板中，所述緩沖層可以配置為所述介質層。

例如，在本公開至少一個實施例提供的陣列基板中，所述間隔層與所述存儲電容可以設置為彼此間隔開。

本公開至少一個實施例提供一種薄膜晶體管中的制備方法，包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上形成遮光層、第一有源層、柵電極、源電極和漏電極；其中，所述方法還包括在所述第一有源層和所述金屬遮光層之間形成間隔層，所述第一有源層包括溝道區，所述間隔層形成在所述溝道區和所述金屬遮光層之間。

例如，本公開至少一個實施例提供的薄膜晶體管的制備方法還可以包括：在所述第一有源層和所述金屬遮光層之間形成緩沖層。