[發明專利]一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法在審
| 申請號： | 201710311489.8 | 申請日： | 2017-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN107425095A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發明（設計）人： | 楊國鋒;汪金;張秀梅;謝峰;錢維瑩 | 申請（專利權）人： | 江南大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 ni 納米 模板 制備 波段 發光 ingan gan 量子 結構 方法 | ||
1.一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在襯底正面沉積緩沖層、N型GaN、Ni薄膜；
將所述的外延片在氮氣氛圍中進行快速退火處理，得到Ni納米顆粒；
采用ICP刻蝕的方法制備獲得錐形GaN陣列；
除去外延片表面的金屬Ni。
在所述的錐形GaN陣列上依次沉積InGaN/GaN量子阱，P型GaN。
2.根據權利要求1所述的一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于：所述的襯底材料為藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵等其中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于：在所述的N型GaN表面沉積一層Ni金屬薄膜，所述的Ni金屬薄膜的厚度為3-10nm。
4.根據權利要求1所述的一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于：通過對Ni金屬薄膜進行快速退火處理得到Ni納米顆粒。
5.根據權利要求1所述的一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于：采用ICP等刻蝕工藝對上述外延片進行刻蝕，除去多余的金屬Ni，獲得的GaN結構為錐形結構。
6.根據權利要求1所述的一種使用Ni納米模板制備多波段發光的InGaN/GaN量子阱結構的方法，其特征在于：InGaN/GaN量子阱能夠在一步生長的條件下就可實現出射多個波段的光譜。
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