[發明專利]低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法

有效

• 申請號: 201710310877.4
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN107130269B
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 朱媛媛;王紅軍
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: C25D1/00
• 分類號: C25D1/00;C25D1/20;C25D3/66;C25D5/50;B82Y40/00
• 代理公司: 西安西達專利代理有限責任公司 61202
• 代理人: 第五思軍

1.低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將七水硫酸鈷和七水硫酸鋅按照0.05mol和0.017~0.05mol的比例溶于250ml的去離子水中制備成混合溶液，然后攪拌均勻，之后加入硼酸作為電沉積的緩沖溶劑并再次混合均勻，得到沉積CoZn合金納米線的配置混合溶液；

2）選擇直徑為45~55nm的多孔氧化鋁作為沉積模板，在恒電壓工作模式下沉積，沉積時間為2~3小時，將獲得的CoZn合金納米線置于氮氣氛圍中，于350~500℃的條件下退火30~60min，得到CoZn合金納米線；

3）將濃度為1~1.2mol/L的NaOH水溶液滴在沉積制備的CoZn合金納米線上，浸泡5~10min之后，利用去離子水清洗，重復三次，得到剝離了氧化鋁模板的CoZn合金納米線；

所述的步驟3）中要對獲得的CoZn合金納米線進行烘干處理；

所述的CoZn合金納米線的化學組分為Co_xZn_y，其中x表示Co原子在CoZn合金納米線中的比例，y表示Zn原子在CoZn合金納米線中的比例，x:y=1:3~1.33:1。

2.根據權利要求1所述的低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法，其特征在于，所述的步驟1）混合溶液中的七水硫酸鈷的濃度為0.2mol/L；七水硫酸鋅的濃度為0.067~0.2mol/L。

3.根據權利要求1所述的低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法，其特征在于，所述的步驟1）混合溶液中的七水硫酸鈷和七水硫酸鋅摩爾比為2.94:1~1:1。

4.根據權利要求1所述的低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法，其特征在于，所述的步驟1）混合溶液中添加的硼酸為11.25g，其濃度為：45g/L。

5.根據權利要求1所述的低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線的電沉積制備方法，其特征在于，所述的步驟2）電沉積過程中，恒電壓保持在1.4V恒定不變。

6.根據權利要求1所述的方法制備的低溫下具有非線性輸運行為的CoZn納米線，其特征在于，所述的CoZn合金納米線直徑在45~55nm。