[發(fā)明專利]自愈合SiC/ZrSi2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710310618.1
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN107032796B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付前剛;王璐;趙鳳玲;李賀軍;李克智
• 申請（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學
• 主分類號: C04B35/58
• 分類號: C04B35/58;C04B35/622;C04B41/87
• 代理公司: 西北工業(yè)大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料在SiC包埋C/C復(fù)合材料制備的ZrSi₂-MoSi₂涂層的方法，其特征在于：所述自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料組份的質(zhì)量百分比為：20～50％的ZrSi₂和50～80％的MoSi₂；

所述方法具體步驟如下：

步驟1：將ZrSi₂粉和MoSi₂粉混合得到混合粉；

步驟2：將混合粉與3％的PVA溶液混合得到料漿，混合體積比為1:1；

步驟3：將混合料漿進行離心噴霧干燥，得到球化粉末；所述的離心噴霧進口溫度為300～350℃，出口溫度為100～150℃；

步驟4：將球化粉末等離子噴涂在SiC包埋C/C復(fù)合材料上，得到ZrSi₂-MoSi₂涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料在SiC包埋C/C復(fù)合材料制備的ZrSi₂-MoSi₂涂層的方法，其特征在于：所述ZrSi₂粉和MoSi₂粉的平均粒徑不超過5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料在SiC包埋C/C復(fù)合材料制備的ZrSi₂-MoSi₂涂層的方法，其特征在于：所述ZrSi₂粉和MoSi₂粉的純度不低于99％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料在SiC包埋C/C復(fù)合材料制備的ZrSi₂-MoSi₂涂層的方法，其特征在于：所述步驟4中SiC包埋C/C復(fù)合材料的制備過程為：

步驟a：將C/C復(fù)合材料并用無水乙醇超聲清洗后烘干；

步驟b、包埋熔滲：將C/C復(fù)合材料置于石墨坩堝中并埋入包埋原料中，石墨坩堝置于高溫石墨化熱處理爐中常壓處理1～2h，以氬氣為保護氣體，處理溫度為1900～2000℃，升溫速率為10℃/min，自然冷卻，得到表面為SiC包埋涂層的C/C復(fù)合材料；

所述包埋原料組份的質(zhì)量分數(shù)為：65～80％的硅粉，10～20％的碳粉和10～15％的氧化鋁粉；

所述包埋原料的制備為：三種粉料在氧化鋯球磨罐中混合為包埋原料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述利用自愈合SiC/ZrSi₂-MoSi₂涂層材料在SiC包埋C/C復(fù)合材料制備的ZrSi₂-MoSi₂涂層的方法，其特征在于：所述三種粉料的粒度為300目。