[發(fā)明專利]總線驅動器/線路驅動器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710309935.1 | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN107346969B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | J·特沃米伊;B·斯威尼;B·B·莫阿尼 | 申請(專利權)人: | 亞德諾半導體集團 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 申發(fā)振 |
| 地址: | 百慕大群島(*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 總線 驅動器 線路 | ||
1.一種三態(tài)線驅動器,包括:
串聯(lián)耦合在輸出節(jié)點和電源之間的第一DMOS晶體管和第二DMOS晶體管,其中第一DMOS晶體管的源極和第二DMOS晶體管的源極可操作地彼此連接;以及
預驅動器電路,所述預驅動器電路包括第一晶體管和二極管,其中,所述二極管與所述第一晶體管串聯(lián)設置并且所述二極管被配置為阻止電流響應于落在電源電壓之外的單極威脅電壓而通過體二極管和晶體管流動。
2.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,還包括限壓器,連接在所述第一DMOS晶體管的源極和所述第一DMOS晶體管的柵極之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,還包括連接在所述第二DMOS晶體管的源極和所述第二DMOS晶體管的柵極之間的第二限壓器。
4.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,所述電源提供正電源或者是正電源軌,并且所述第一DMOS晶體管和所述第二DMOS晶體管是P型DMOS晶體管。
5.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,所述電源提供負電源,或者是負電源軌或者是本地接地,并且所述第一DMOS晶體管和所述第二DMOS晶體管是N型DMOS晶體管。
6.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,還包括串聯(lián)連接在所述輸出節(jié)點和接地或負電源之間的第三DMOS晶體管和第四DMOS晶體管,并且其中所述第三DMOS晶體管的源極和第四DMOS晶體管的源極連接在一起。
7.根據(jù)權利要求6所述的三態(tài)線驅動器,還包括連接在所述第三DMOS晶體管的源極和所述第三DMOS晶體管的柵極之間的限壓器。
8.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,所述第一DMOS晶體管的源極和第二DMOS晶體管的源極通過高阻抗路徑或單向電流流動裝置連接到合適的電源電壓。
9.根據(jù)權利要求8所述的三態(tài)線驅動器,其中,所述第一DMOS晶體管的源極和第二DMOS晶體管的源極連接到正電源軌電壓。
10.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,限壓器是電阻器。
11.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,所述預驅動器包括與所述電源之間的第一晶體管和第二晶體管,并且所述二極管連接在所述第一晶體管的漏極和第二晶體管的漏極之間。
12.根據(jù)權利要求1所述的三態(tài)線驅動器,其中,選擇DMOS晶體管以承受大于表示所述輸出節(jié)點處的最大允許電壓的第一值的漏極-源極電壓,以及DMOS晶體管的柵極源極擊穿電壓是該第一值。
13.一種單端總線驅動器,包括如權利要求6所述的驅動器。
14.一種三態(tài)差分總線驅動器,包括如權利要求6所述的三態(tài)線驅動器,并且還包括第五晶體管和第六晶體管,其中,所述第五晶體管是P型DMOS晶體管,該P型DMOS晶體管的源極可操作地連接到第一DMOS晶體管的源極,該P型DMOS晶體管的漏極連接到第二輸出節(jié)點,并且該P型DMOS晶體管的柵極連接到第五輸入節(jié)點;
第六晶體管是N型DMOS晶體管,該N型DMOS晶體管的源極連接到第四DMOS晶體管的源極,該N型DMOS晶體管的漏極連接到第二輸出節(jié)點,并且該N型DMOS晶體管的柵極連接到第六輸入節(jié)點,并且其中每個晶體管在其柵極和源極之間具有相應的電壓限制部件以限制晶體管的柵極源極電壓。
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