[發明專利]具有硅電極的微型器件轉移頭部

有效

• 申請號: 201710308883.6
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN107265400B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: D·格爾達;A·比布爾
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: B81C99/00
• 分類號: B81C99/00;H01L21/60;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種轉移頭部陣列，包括：

基礎襯底；

位于所述基礎襯底上的氧化物埋層；

位于所述氧化物埋層上的圖案化器件層，所述圖案化器件層包括與電極陣列一體形成的跡線互連，其中每個電極包括在所述跡線互連上方突起的臺面結構；以及

電介質層，所述電介質層覆蓋每個臺面結構的頂表面。

2.根據權利要求1所述的轉移頭部陣列，其中所述跡線互連行進通過包括所述電極陣列的所述轉移頭部陣列的工作區域。

3.根據權利要求1所述的轉移頭部陣列，還包括第一電介質層，所述第一電介質層覆蓋所述跡線互連的頂部表面。

4.根據權利要求3所述的轉移頭部陣列，所述電介質層疊置在所述第一電介質層的頂部表面之上。

5.根據權利要求1所述的轉移頭部陣列，其中每個電極還包括電極引線，所述電極引線跨越在對應的臺面結構和所述跡線互連之間。

6.根據權利要求5所述的轉移頭部陣列，其中用于每個電極的所述電極引線垂直于所述跡線互連而行進。

7.根據權利要求5所述的轉移頭部陣列，其中所述圖案化器件層還包括與所述跡線互連一體形成的第二電極的第二陣列，其中每個第二電極包括從所述跡線互連上方突起的第二臺面結構。

8.根據權利要求7所述的轉移頭部陣列，其中所述電極陣列和所述第二電極的第二陣列從所述跡線互連在相反的方向上延伸。

9.根據權利要求8所述的轉移頭部陣列，還包括通孔，所述通孔延伸通過所述基礎襯底并且與所述跡線互連、所述電極陣列和所述第二電極的第二陣列互連電連接。

10.根據權利要求5所述的轉移頭部陣列，其中所述圖案化器件層還包括與第二電極的第二陣列一體形成的第二跡線互連，其中每個第二電極包括在所述第二跡線互連上方突起的第二臺面結構，以及其中所述電極陣列和電極的所述第二陣列彼此對準并且彼此電絕緣。

11.根據權利要求10所述的轉移頭部陣列，其中所述電介質層覆蓋所述第二電極的第二陣列的每個臺面結構的頂部表面。

12.根據權利要求10所述的轉移頭部陣列，其中所述跡線互連和所述第二跡線互連彼此平行地行進。

13.根據權利要求10所述的轉移頭部陣列，其中所述跡線互連和所述第二跡線互連均行進通過包括所述電極陣列和所述第二電極的第二陣列的所述轉移頭部陣列的工作區域。

14.根據權利要求11所述的轉移頭部陣列，還包括位于所述電極陣列和所述第二電極的第二陣列之間的溝槽陣列。

15.根據權利要求14所述的轉移頭部陣列，其中所述溝槽由所述電介質層至少部分地填充。

16.根據權利要求14所述的轉移頭部陣列，還包括第一電介質層，所述第一電介質層覆蓋所述跡線互連和所述第二跡線互連的頂部表面。

17.根據權利要求16所述的轉移頭部陣列，其中所述溝槽由所述第一電介質層至少部分地填充。

18.根據權利要求11所述的轉移頭部陣列，還包括：

通孔，延伸通過所述基礎襯底并且與所述跡線互連和所述電極陣列電連接；以及

第二通孔，延伸通過所述基礎襯底并且與所述第二跡線互連和所述第二電極的第二陣列電連接。