[發明專利]單片集成的半導體開關、尤其是功率斷路開關有效
| 申請號： | 201710307781.2 | 申請日： | 2017-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN107395171B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | A·許爾內爾;T·埃爾巴赫爾 | 申請（專利權）人： | 弗勞恩霍弗應用技術研究院 |
| 主分類號： | H03K17/041 | 分類號： | H03K17/041;H03K17/72;H03K17/687;H01L27/06;H01L27/098 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鳴慧 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單片 集成 半導體 開關 尤其是 功率 斷路 | ||
1.具有單片集成的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管的半導體開關，所述場效應晶體管中的一個場效應晶體管具有n摻雜的通道并且另一個場效應晶體管具有p摻雜的通道，在所述半導體開關中，
所述第一場效應晶體管的源極或發射極與所述第二場效應晶體管的源極或發射極短接，
所述第一場效應晶體管的漏極或集極與第一電接頭電連接，并且
所述第二場效應晶體管的漏極或集極與所述半導體開關的第二電接頭電連接，
其中，
所述第二場效應晶體管的阱區與兩個場效應晶體管的源極或發射極短接，
所述第一場效應晶體管的阱區與所述第二電接頭短接，和
所述第一場效應晶體管的柵極或基極與所述第一電接頭短接并且所述第二場效應晶體管的柵極或基極與所述第一電接頭短接或者布置成能外部操控。
2.根據權利要求1所述的半導體開關，其特征在于，
所述第一場效應晶體管的所述源極或發射極和所述第二場效應晶體管的所述源極或發射極相互鄰接。
3.根據權利要求1或2所述的半導體開關，其特征在于，
所述第一場效應晶體管是p-JFET，所述第一電接頭是陰極接頭，并且所述第二電接頭是陽極接頭。
4.根據權利要求3所述的半導體開關，其特征在于，
所述第二場效應晶體管是n-JFET。
5.根據權利要求3所述的半導體開關，其特征在于，
所述第二場效應晶體管是n-BIFET。
6.根據權利要求1或2所述的半導體開關，其特征在于，
所述第一場效應晶體管是n-JFET，所述第一電接頭是陽極接頭，并且所述第二電接頭是陰極接頭。
7.根據權利要求6所述的半導體開關，其特征在于，
所述第二場效應晶體管是p-JFET。
8.根據權利要求6所述的半導體開關，其特征在于，
所述第二場效應晶體管是p-BIFET。
9.根據權利要求1或2所述的半導體開關，其特征在于，
所述兩個場效應晶體管在由硅或碳化硅構成的半導體襯底中單片集成。
10.根據權利要求1或2所述的半導體開關，其特征在于，
所述兩個場效應晶體管在由碳化硅的4H多型體構成的半導體襯底中單片集成。
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