[發明專利]一種混合粉體、用途及除硅方法有效
| 申請號： | 201710306472.3 | 申請日： | 2017-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN108793168B | 公開（公告）日： | 2020-10-16 |
| 發明（設計）人： | 孔英杰;裴雨辰;于新民;李鵬鵬;王濤;霍鵬飛;劉俊鵬;孫同臣 | 申請（專利權）人： | 航天特種材料及工藝技術研究所 |
| 主分類號： | C01B32/984 | 分類號： | C01B32/984;C01B32/914;C01B32/05 |
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| 地址： | 100074 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 混合 用途 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種由碳粉和氧化鋁粉組成的混合粉體作為反應溶滲工藝制備的碳化物基復合材料表面的除硅處理的用途。
2.一種由碳粉和氧化鋁粉按質量比8：(1～3)的比例組成的混合粉體作為反應溶滲工藝制備的碳化物基復合材料表面的除硅處理的用途。
3.一種除硅方法，其特征在于，通過以下步驟實現：
第一步，制備碳/氧化鋁混合粉體，
將碳粉與氧化鋁粉按質量比8：(1～3)的比例混合均勻，得到混合均勻的碳/氧化鋁混合粉體；
第二步，將第一步中得到的碳/氧化鋁混合粉體包裹在碳化物基復合材料表面，保證碳化物基復合材料完全包埋于碳/氧化鋁混合粉體中；
第三步，高溫除硅，
將第二步包埋了碳/氧化鋁混合粉體的碳化物基復合材料在惰性氣體保護下升溫至合金熔融溫度以上50～100℃，保溫不少于1小時，進行高溫除硅處理。
4.根據權利要求3所述的一種除硅方法，其特征在于：所述第二步中碳化物基復合材料為采用反應溶滲工藝制備的碳化物基復合材料，表面殘留硅源原料。
5.根據權利要求3所述的一種除硅方法，其特征在于：所述第二步中在包埋碳/氧化鋁混合粉體的上部放置數層碳氈，碳/氧化鋁混合粉體的質量控制在碳化物基復合材料質量的0.3～0.8倍范圍內。
6.根據權利要求3所述的一種除硅方法，其特征在于：所述第三步中高溫除硅時間為1～3小時。
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