[發明專利]千安培大電流脈沖信號產生裝置及DIDT測試設備有效
| 申請號: | 201710306268.1 | 申請日: | 2017-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN107040245B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 尹武生 | 申請(專利權)人: | 深圳市碩亞科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/57 | 分類號: | H03K3/57;H03K3/28;H03K5/02;H03K17/567;H03K17/081;G01R1/28 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 安培 電流 脈沖 信號 產生 裝置 didt 測試 設備 | ||
1.一種千安培大電流脈沖信號產生裝置,應用于DIDT測試設備中,其特征在于,所述千安培大電流脈沖信號產生裝置包括高壓電源、高壓電容組模塊、方波信號發生模塊、容性負載電阻模塊、測試工裝、驅動模塊、直流電源模塊及IGBT,所述高壓電源的輸入端用于接入交流電源,所述高壓電源的正極電源端與所述高壓電容組模塊的正極輸入端連接,所述高壓電源的負極電源端與所述高壓電容組模塊的負極輸入端連接,所述高壓電容組模塊的正極輸出端與所述IGBT的集電極連接;所述高壓電容組模塊的負極輸出端與所述IGBT的發射極連接;所述方波信號發生模塊的輸出端與所述驅動模塊的輸入端連接;所述驅動模塊的輸出端與所述IGBT的門極連接;其中,
所述高壓電容組模塊,用于儲蓄所述高壓電源提供的電能并提供大功率恒定電流;
所述方波信號發生模塊,用于產生方波信號;
所述驅動模塊,用于在接收到所述方波信號時,產生驅動信號;
所述IGBT,用于根據所述驅動信號進行大功率開關驅動,以將所述高壓電容組模塊里大功率電量儲能轉換為快速的大功率恒定電流輸出;
所述容性負載電阻模塊的第一端與所述高壓電容組模塊的正極輸出端連接,所述容性負載電阻模塊的第二端經所述測試工裝與所述IGBT的集電極連接;
所述直流電源模塊包括第一直流電源轉換模塊及第二直流電源轉換模塊,所述第一直流電源轉換模塊和第二直流電源轉換模塊的輸入端用于接入交流電源,所述第一直流電源轉換模塊和第二直流電源轉換模塊的輸出端分別與所述方波信號發生模塊的電源端連接。
2.如權利要求1所述的千安培大電流脈沖信號產生裝置,其特征在于,所述千安培大電流脈沖信號產生裝置還包括用于控制所述方波信號發生模塊工作的控制模塊,所述控制模塊的輸出端與所述方波信號發生模塊的受控端連接。
3.如權利要求1所述的千安培大電流脈沖信號產生裝置,其特征在于,所述第一直流電源轉換模塊包括電源輸入端、整流二極管、濾波模塊、第一降壓芯片、第一濾波電容及第二濾波電容,所述電源輸入端用于與供電電源連接,所述整流二極管的陽極為與所述電源輸入端連接,所述整流二極管的陰極與所述濾波模塊的輸入端連接;所述濾波模塊的第一輸出端與所述第一降壓芯片的正極輸入端連接,所述濾波模塊的第二輸出端與所述第一降壓芯片的負極輸入端連接;所述第一降壓芯片的正極輸出端為第一直流電源端,并與所述第一濾波電容及第二濾波電容的第一端連接,所述第一降壓芯片的負極輸出端與所述第一濾波電容及第二濾波電容的第二端均接地。
4.如權利要求3所述的千安培大電流脈沖信號產生裝置,其特征在于,所述第二直流電源轉換模塊包括第二降壓芯片、第三濾波電容、第四濾波電容、第五濾波電容、第二十八電阻及穩壓二極管,所述第二降壓芯片的正極輸入端與所述濾波模塊的第一輸出端連接,所述第二降壓芯片的負極輸入端與所述濾波模塊的第二輸出端連接;所述第二降壓芯片的正極輸出端為第三直流電源端,并與所述第三濾波電容、第四濾波電容及所述第二十八電阻的第一端連接,所述第二降壓芯片的負極輸出端為第二直流電源端,并與所述第三濾波電容、第四濾波電容的第二端、所述第五濾波電容的第一端及所述穩壓二極管的陽極互連;所述穩壓二極管的陰極與所述第五濾波電容的第二端極所述第二十八電阻的第二端均接地。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市碩亞科技有限公司,未經深圳市碩亞科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710306268.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:集成電路結構、半導體結構器件及其保護方法
- 下一篇:鰭式場效應晶體管器件





