[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201710305619.7
• 申請日: 2017-05-03
• 公開（公告）號: CN108831862B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 杜麗娟;趙杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相鄰的第一器件區和第二器件區，所述第一器件區和第二器件區的器件摻雜類型不同；

在所述基底的第一器件區及第二器件區上形成第二器件區功能層；

在所述第二器件區功能層上形成底部抗反射涂層；

向所述第二器件區的底部抗反射涂層摻雜刻蝕抑制離子；

向所述第二器件區的底部抗反射涂層摻雜刻蝕抑制離子后，在所述第二器件區的底部抗反射涂層上形成光刻膠層；

以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕去除所述第一器件區的底部抗反射涂層；

以第二器件區的光刻膠層為掩膜，刻蝕去除所述第一器件區的第二器件區功能層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述刻蝕抑制離子為B離子。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，向所述第二器件區的底部抗反射涂層摻雜刻蝕抑制離子所采用的工藝為離子注入工藝。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的參數包括：注入離子為B離子，注入能量為1Kev至5Kev，注入劑量為4E04原子每平方厘米至8E04原子每平方厘米。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，向所述第二器件區的底部抗反射涂層摻雜刻蝕抑制離子后，在所述第二器件區的底部抗反射涂層上形成光刻膠層之前，還包括步驟：對所述基底進行退火處理。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火處理的參數包括：退火溫度為100℃至300℃，退火時間為10秒至30秒。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射涂層的厚度為至

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一器件區用于形成N型器件，所述第二器件區用于形成P型器件；

或者，

所述第一器件區用于形成P型器件，所述第二器件區用于形成N型器件。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二器件區功能層為P型功函數層或N型功函數層。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底包括襯底以及位于所述襯底上分立的鰭部；

所述第二器件區功能層橫跨所述鰭部，且覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側壁表面。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成第二器件區功能層之前，還包括步驟：形成橫跨所述鰭部的柵介質層，所述柵介質層覆蓋所述鰭部的部分頂部表面和側壁表面。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一器件區用于形成N型器件，所述第二器件區用于形成P型器件，所述第二器件區功能層為P型功函數層；

刻蝕去除所述第一器件區的第二器件區功能層后，還包括步驟：去除所述光刻膠層和剩余底部抗反射涂層；在所述第一器件區的柵介質層上形成第一器件區功能層，所述第一器件區功能層為N型功函數層。

13.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相鄰的第一器件區和第二器件區，所述第一器件區和第二器件區的器件摻雜類型不同；

第二器件區功能層，位于所述基底的第二器件區上；

底部抗反射涂層，位于所述第二器件區功能層上，所述第二器件區的底部抗反射涂層內具有刻蝕抑制離子；

光刻膠層，位于所述第二器件區的底部抗反射涂層上。

14.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于，所述刻蝕抑制離子為B離子。