[發明專利]PVD氧化物涂層制備方法

在審

• 申請號: 201710305307.6
• 申請日: 2017-05-03
• 公開（公告）號: CN107365963A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 趙海波;梁紅櫻
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/08
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所(普通合伙)51124
• 代理人: 張競

1.PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：在采用陰極電弧離子鍍進行離子沉積的同時利用復合磁場CAE增加弧斑密度、提高弧斑移動速度、增加弧斑徑向移動幅度，利用復合磁場CAE脈沖控制技術或雙極脈沖偏壓技術消除絕緣體正電荷積聚產生的電場，利用復合磁場CAE軸向推進技術將鍍膜材料的離子推進到待鍍膜工件附近進行反應，通過復合磁場CAE控制離子的輸出能量和沉積溫度來控制絕緣氧化物涂層生長。

2.如權利要求1所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：包括以下幾個步驟：

A、將待鍍膜工件放置于真空室中，然后對真空室抽真空；

B、送入40～60sccm的Ar氣，并對真空室進行預加熱；

C、電子束加熱；

D、對待鍍膜工件表面進行氣體等離子刻蝕；

E、對工件表面進行鍍膜；

F、對鍍膜工件進行冷卻處理。

3.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：所述預加熱時間為39分鐘至41分鐘。

4.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：所述A步驟中抽真空后使真空室內壓強小于5×10^-2Pa。

5.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：在C步驟中真空室壓強調至(2.0～3.0)×10^-1Pa，Ar氣流量調整為90～120sccm；打開燈絲電源，逐步升高燈絲電源的電流至170～230A；開啟磁場電流，并將磁場電流調至12～20A；開啟弧電源，將弧電源的電流逐漸加至180A。

6.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：在D步驟中，使燈絲電流維持在170～230A；弧電流減至100～120A；磁場電流減至6～8A；真空室壓強調至(2.0～2.4)×10^-1Pa，Ar氣流量50～60sccm，H₂氣流量15～20，啟開偏壓電源，逐漸加電壓至直流0～200V、脈沖300～500V。

7.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：在E步驟中采用8個陰極電弧源進行鍍膜。

8.如權利要求2所述的PVD氧化物涂層制備方法，其特征在于：在E步驟中利用磁控濺射源植入單質元素。