[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710303249.3
• 申請日: 2017-05-02
• 公開（公告）號: CN107039534A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓志恒;李泠;陸叢研;徐光偉;王偉;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種薄膜晶體管，包括：絕緣襯底、柵電極、柵介質(zhì)層、源電極、漏電極以及有源層；其中，

所述柵電極形成于所述絕緣襯底表面；

所述柵介質(zhì)層形成于所述絕緣襯底表面并且覆蓋所述柵電極；

所述源電極和漏電極埋于所述柵介質(zhì)層中，且表面露出；

所述有源層形成于所述柵介質(zhì)層表面，與所述源電極和漏電極接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管的接觸電阻包括：所述源電極和有源層之間的源極界面電阻、所述漏電極和有源層之間的漏極界面電阻、以及所述有源層的溝道電阻，所述薄膜晶體管不存在源極體電阻和漏極體電阻。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述柵電極為金屬M(fèi)o；所述柵介質(zhì)層為SiO₂薄膜，其厚度為200nm。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述源電極和漏電極為Ti/Au，Ti/Au的厚度為5/45nm。

5.一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

步驟S1：提供絕緣襯底；

步驟S2：在所述絕緣襯底表面形成柵電極；

步驟S3：在所述絕緣襯底表面形成柵介質(zhì)層；

步驟S4：制作源電極和漏電極；以及

步驟S5：生長有源層。

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，所述步驟S1包括：

用去離子水將所述絕緣襯底清洗干凈；

在所述絕緣襯底表面涂光刻膠；

利用紫外線曝光并顯影。

7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，所述步驟S2包括：

將所述絕緣襯底放置于電子束蒸發(fā)臺腔室內(nèi)進(jìn)行柵極金屬蒸發(fā)；

將蒸發(fā)后的絕緣襯底放入丙酮中浸泡，洗去光刻膠；

把所述絕緣襯底從丙酮中夾出，再放入無水乙醇中浸泡，洗去丙酮；

取出所述絕緣襯底并用氮?dú)獯蹈桑纬蓤D形化的柵電極。

8.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，所述步驟S3包括：

利用化學(xué)氣相淀積工藝在所述絕緣襯底表面制作一層?xùn)沤橘|(zhì)層；

在所述柵介質(zhì)層表面旋涂光刻膠，紫外線曝光并顯影，制作兩個光刻膠薄膜窗口；

利用等離子刻蝕機(jī)對光刻膠薄膜窗口處的柵介質(zhì)層向下刻蝕，刻蝕完成后從等離子刻蝕機(jī)中取出絕緣襯底。

9.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，所述步驟S4包括：

將所述絕緣襯底放置于電子束蒸發(fā)臺內(nèi)進(jìn)行源電極和漏電極蒸發(fā)；

將蒸發(fā)完成的絕緣襯底放入丙酮中浸泡，洗去光刻膠；

把所述絕緣襯底從丙酮中夾出，放入無水乙醇中洗去丙酮；

取出所述絕緣襯底用氮?dú)獯蹈桑玫綀D形化的源電極和漏電極。

10.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，所述步驟S5包括：采用旋涂、磁控濺射或脈沖激光淀積工藝在柵介質(zhì)層表面形成有源層。