[發(fā)明專利]具有隔離溝道的FINFET器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710302329.7
• 申請(qǐng)日: 2013-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107275217A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·勞貝特;P·卡雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種在硅襯底上形成的晶體管，所述晶體管包括：

凸起源極和漏極區(qū)域，定位于成對(duì)的隔離溝槽之間；

半傳導(dǎo)鰭陣列，選擇性地電耦合所述源極和所述漏極，而通過(guò)襯底絕緣層保持與所述硅襯底隔離；

絕緣柱陣列，與所述半傳導(dǎo)鰭陣列至少部分交錯(cuò)，所述絕緣柱提供局部化鰭間隔離；以及

保形柵極結(jié)構(gòu)，其在所述半傳導(dǎo)鰭的三側(cè)周?chē)戆霰Ｐ螙艠O結(jié)構(gòu)包括柵極，所述柵極可操作用于響應(yīng)于施加的電壓控制所述半傳導(dǎo)鰭內(nèi)的電流流動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述絕緣柱由氮化硅制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述凸起源極和漏極區(qū)域是外延生長(zhǎng)的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述半傳導(dǎo)鰭是外延生長(zhǎng)的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管，其中外延生長(zhǎng)的所述半傳導(dǎo)鰭包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅或者碳化硅鍺中的一個(gè)或多個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，還包括與所述柵極接觸的側(cè)壁間隔物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述保形柵極結(jié)構(gòu)還包括柵極電介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管，其中所述柵極電介質(zhì)由包括二氧化硅、氧化鉿或者硅化鉿中的一個(gè)或多個(gè)的材料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述柵極由包括多晶硅、氮化鉭、氮化鈦或者鋁化鈦中的一個(gè)或多個(gè)的材料制成。

10.一種襯底隔離的FinFET模塊，包括：

外延半傳導(dǎo)鰭的第一陣列；

絕緣柱的第二陣列，所述第一陣列和所述第二陣列部分交錯(cuò)以形成多個(gè)開(kāi)關(guān)，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)受共享柵極的控制；以及

隔離層，定位為阻擋從所述鰭到下面的襯底中的電流泄漏。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET模塊，其中所述絕緣柱由氮化硅制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET模塊，其中所述隔離層由二氧化硅制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET模塊，其中所述外延半傳導(dǎo)鰭的第一陣列具有在30-50nm的范圍內(nèi)的節(jié)距。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET模塊，其中鰭和柱具有在大約3.0-5.0的范圍內(nèi)的高寬比。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET模塊，其中所述外延半傳導(dǎo)鰭包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅或者碳化硅鍺中的一個(gè)或多個(gè)。