[發明專利]半導體裝置和包括該半導體裝置的顯示裝置有效
| 申請號: | 201710301139.3 | 申請日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN107342296B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 金曰濬;金連洪;金正賢;金臺鎮;安基完;張龍在 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/121 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 包括 顯示裝置 | ||
1.一種半導體裝置,所述半導體裝置包括:
半導體層,所述半導體層包括連接到溝道區的第一源區、第一漏區、第二源區和第二漏區;
第一柵電極,設置在所述半導體層下方,所述第一柵電極通過第一柵極絕緣層與所述半導體層絕緣并且與所述溝道區至少部分地疊置;以及
第二柵電極,設置在所述半導體層上方,所述第二柵電極通過第二柵極絕緣層與所述半導體層絕緣并且與所述溝道區至少部分地疊置,
其中,第一薄膜晶體管包括所述溝道區、所述第一源區、所述第一漏區和所述第一柵電極,并且第二薄膜晶體管包括所述溝道區、所述第二源區、所述第二漏區和所述第二柵電極。
2.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
權利要求1所述的半導體裝置;
平坦化層,覆蓋所述半導體裝置;
像素電極,設置在所述平坦化層上方,并且連接到所述第一源區、所述第一漏區、所述第二源區和所述第二漏區中的一個;
對電極,面對所述像素電極;以及
中間層,設置在所述像素電極與所述對電極之間。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括被構造為傳輸柵極信號的柵極線、被構造為傳輸數據信號的數據線以及被構造為傳輸驅動電壓的驅動電壓線,其中,所述柵極線連接到所述第一柵電極,所述數據線連接到所述第一源區,所述驅動電壓線連接到所述第二源區,所述像素電極連接到所述第二漏區。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第二柵極絕緣層的厚度比所述第一柵極絕緣層的厚度大。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
電容器,包括連接到所述第二柵電極的第一電極和設置在所述第一電極上方并且與所述第一電極絕緣的第二電極,
其中,所述第二柵電極和所述第一電極在同一層中形成單個結構。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述電容器包括設置在所述第一電極與所述第二電極之間的第三柵極絕緣層。
7.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括輔助電容器,其中,所述輔助電容器不與所述半導體裝置疊置。
8.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括像素限定層,其中,所述像素限定層使所述像素電極的一部分暴露,覆蓋所述像素電極的表面,并且限定像素。
9.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述中間層包括有機發射層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





