[發(fā)明專利]背板基板及使用該背板基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710301108.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107452766B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳錦美;嚴(yán)惠先 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 背板 使用 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 | ||
1.一種背板基板,該背板基板包括:
基板,該基板包括多個(gè)子像素;
掃描線,該掃描線在各個(gè)子像素中沿著第一方向設(shè)置;
第一電壓線和數(shù)據(jù)線,該第一電壓線和該數(shù)據(jù)線在各個(gè)子像素中沿著與所述第一方向交叉的方向設(shè)置;
存儲(chǔ)電容器,該存儲(chǔ)電容器位于各個(gè)子像素中的通過所述掃描線、所述第一電壓線和所述數(shù)據(jù)線交叉而限定的存儲(chǔ)電容器區(qū)域中,所述存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電極、與所述第一存儲(chǔ)電極部分地交疊的第二存儲(chǔ)電極、與所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極交疊并在第一節(jié)點(diǎn)處連接至所述第二存儲(chǔ)電極的第二存儲(chǔ)連接電極以及與所述第二存儲(chǔ)連接電極交疊并在第二節(jié)點(diǎn)處連接至所述第一存儲(chǔ)電極的第一存儲(chǔ)連接電極,其中,所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極在所述第二節(jié)點(diǎn)處彼此不交疊;
第一半導(dǎo)體層,該第一半導(dǎo)體層被配置為使得所述第一節(jié)點(diǎn)處的所述第二存儲(chǔ)連接電極穿過所述第一半導(dǎo)體層并且連接至所述第一半導(dǎo)體層的側(cè)表面;以及
第二半導(dǎo)體層,該第二半導(dǎo)體層被配置為使得所述第二節(jié)點(diǎn)處的所述第一存儲(chǔ)連接電極穿過所述第二半導(dǎo)體層并且連接至所述第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板基板,該背板基板還包括:
開關(guān)薄膜晶體管,該開關(guān)薄膜晶體管包括開關(guān)柵極,并且在所述第一半導(dǎo)體層的兩端連接至所述數(shù)據(jù)線和所述第一節(jié)點(diǎn),該開關(guān)柵極被限定為所述掃描線的與所述第一半導(dǎo)體層的上表面交疊的區(qū)域;以及
驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管,該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O,并且在所述第二存儲(chǔ)電極的外側(cè)分別連接至所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第一電壓線,該驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O被限定為與所述第二半導(dǎo)體層的下表面交疊的所述第二存儲(chǔ)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背板基板,該背板基板還包括在各個(gè)子像素中平行于所述掃描線設(shè)置的感測(cè)線以及平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的第二電壓線,
其中,所述第二半導(dǎo)體層從所述第二節(jié)點(diǎn)延伸并且連接至所述第二電壓線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背板基板,該背板基板還包括感測(cè)薄膜晶體管,該感測(cè)薄膜晶體管包括感測(cè)柵極,并且在所述感測(cè)線的外側(cè)連接至所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第二電壓線,所述感測(cè)柵極被限定為所述感測(cè)線的與所述第二半導(dǎo)體層的上表面交疊的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背板基板,其中,所述第一存儲(chǔ)電極占據(jù)所述存儲(chǔ)電容器區(qū)域的面積的50%至100%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背板基板,其中,在平面中,所述第一存儲(chǔ)電極的上部和下部與所述掃描線和所述感測(cè)線相鄰,并且所述第一存儲(chǔ)電極的左部和右部與所述數(shù)據(jù)線和所述第一電壓線相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背板基板,其中,所述第一存儲(chǔ)電極、所述第二存儲(chǔ)電極、所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層、所述掃描線和所述感測(cè)線、所述數(shù)據(jù)線、所述第一電壓線和所述第二電壓線、所述第二存儲(chǔ)連接電極和所述第一存儲(chǔ)連接電極按照順序依次設(shè)置在所述基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背板基板,該背板基板還包括:
第一絕緣膜,該第一絕緣膜被設(shè)置在所述第一存儲(chǔ)電極與所述第二存儲(chǔ)電極之間;
第一柵極絕緣膜,該第一柵極絕緣膜被設(shè)置在所述第二存儲(chǔ)電極與所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間;
第二柵極絕緣膜,該第二柵極絕緣膜被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層與所述掃描線和所述感測(cè)線之間;
第二絕緣膜,該第二絕緣膜被設(shè)置在所述掃描線和所述感測(cè)線與所述數(shù)據(jù)線以及所述第一電壓線和所述第二電壓線之間;
第三絕緣膜,該第三絕緣膜被設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線以及所述第一電壓線和所述第二電壓線與所述第二存儲(chǔ)連接電極之間;以及
第四絕緣膜,該第四絕緣膜被設(shè)置在所述第二存儲(chǔ)連接電極與所述第一存儲(chǔ)連接電極之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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