[發明專利]封裝結構

有效

• 申請號: 201710300971.1
• 申請日: 2017-05-02
• 公開（公告）號: CN107845611B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 陳憲偉;黃立賢
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/16
• 分類號: H01L23/16
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種封裝結構，包括：

一基板；

一裝置晶粒，形成于該基板上，其中該裝置晶粒包括一半導體基板以及一導電墊，形成于該半導體基板上，且該裝置晶粒有一第一高度；

一虛置晶粒，形成于該基板上且鄰近該裝置晶粒，其中該虛置晶粒有一第二高度，該第二高度低于該第一高度，該第二高度與該第一高度的一高度比值介于65％至85％的范圍；

一封裝層，形成于該裝置晶粒及該虛置晶粒間；以及

一重分布結構，形成于該封裝層上，其中該封裝層的一部分延伸到該虛置晶粒以及該重分布結構之間，且該裝置晶粒的一上表面從該封裝層露出。

2.如權利要求1所述的封裝結構，更包括：

一緩沖層，形成于該虛置晶粒上，其中該緩沖層的一上表面比該裝置晶粒的該上表面低。

3.如權利要求1所述的封裝結構，更包括：

一通孔，鄰近該裝置晶粒形成，其中該通孔有一第三高度，該第三高度高于該第一高度。

4.如權利要求1所述的封裝結構，

其中該重分布結構電性連接至該裝置晶粒。

5.如權利要求1所述的封裝結構，其中該虛置晶粒的一熱膨脹系數大抵上與該裝置晶粒的一熱膨脹系數相同。

6.如權利要求1所述的封裝結構，更包括：

一通孔，鄰近該裝置晶粒形成；以及

一第二封裝結構，形成于該裝置晶粒上，其中該第二封裝結構電性連接至該通孔。

7.一種封裝結構，包括：

一基板；

一第一裝置晶粒，形成于該基板上，其中該第一裝置晶粒包括一第一半導體基板以及一導電墊，形成在該第一半導體基板上，且該第一裝置晶粒具有一第一高度；

一第一虛置晶粒，形成于該基板上且鄰近該第一裝置晶粒，其中該第一虛置晶粒包括一第一粘合層，且該第一虛置晶粒具有一第二高度，該第二高度小于該第一高度，該第二高度與該第一高度的一高度比值介于65％至85％的范圍；

一第一封裝層，圍繞該第一裝置晶粒及該第一虛置晶粒，其中該第一封裝層覆蓋該第一虛置晶粒的上表面；以及

一重分布結構，形成于該第一封裝層上，其中該重分布結構電性連接至該第一裝置晶粒，該第一封裝層的一部分延伸到該第一虛置晶粒以及該重分布結構之間，且該第一裝置晶粒的一上表面從該第一封裝層露出。

8.如權利要求7所述的封裝結構，更包括：

一通孔，鄰近該第一裝置晶粒形成，其中該通孔的一上表面與該第一裝置晶粒的該上表面等高。

9.如權利要求8所述的封裝結構，更包括：

一第二封裝結構，形成于該第一裝置晶粒上，其中該第二封裝結構電性連接至該通孔。

10.如權利要求7所述的封裝結構，更包括：

一凸塊下金屬層，形成于該重分布結構上；以及

一電連接器，形成于該凸塊下金屬層上。

11.如權利要求7所述的封裝結構，其中該第一虛置晶粒的一熱膨脹系數與該第一裝置晶粒的一熱膨脹系數相同。

12.如權利要求7所述的封裝結構，更包括：

一第二裝置晶粒，形成于該封裝層之上；以及

一第二虛置晶粒，鄰近該第二裝置晶粒形成。

13.如權利要求12所述的封裝結構，更包括：

一第二封裝層，形成于該第二裝置晶粒及該第二虛置晶粒之間，其中該第二封裝層覆蓋于該第二虛置晶粒的一上表面。