[發明專利]一種太陽能電池片制絨質量檢測方法有效
| 申請號: | 201710300937.4 | 申請日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN107170692B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 蘇亞;姚曉天;劉會清 | 申請(專利權)人: | 河北大學;蘇州光環科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 石家莊國域專利商標事務所有限公司 13112 | 代理人: | 蘇艷肅 |
| 地址: | 071002 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 片制絨 質量 檢測 方法 | ||
1.一種太陽能電池片制絨質量檢測方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、在待測制絨硅片上確定檢測區域;
b、用OCT系統對檢測區域進行掃描,得到檢測區域的三維圖像;
c、對得到的三維圖像進行處理得到絨面的均勻性情況,包括以下步驟:
c-1、采用邊界識別算法從三維圖像中提取出制絨硅片的上表面圖像,并找到制絨表面的最低位置作為基準面;
c-2、通過邊界識別算法找到制絨表面的局部極大值作為金字塔峰的位置,并以基準面為參考統計出峰的高度;
c-3、整理出各金字塔峰高度的比例,得到檢測區域內峰高的分布情況;
c-4、通過若干不同位置的檢測區域內峰高的分布情況,得到制絨硅片上絨面的均勻性情況;
d、對檢測區域的三維圖像進行處理得到制絨硅片的反射率信息,包括以下步驟:
d-1、將檢測區域的三維圖像沿深度方向進行平均,得到縱向的一維平均光強信號圖;
d-2、用制絨硅片上表面光強值來表征制絨硅片的反射率,其上表面光強值越小,反射率也越小;
e、通過絨面均勻性和反射率參數來評價電池片制絨質量。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池片制絨質量檢測方法,其特征在于,每個制絨硅片選定3~5個檢測區域進行檢測。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池片制絨質量檢測方法,其特征在于,所述OCT系統掃描參數x*y*z設置為400pixel*400pixel*512pixel,對應的實際檢測尺寸為10mm*10mm*3mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





