[發(fā)明專利]半導體結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710300664.3
• 申請日: 2017-05-02
• 公開（公告）號: CN108807408B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 賴二琨;龍翔瀾
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

本發(fā)明公開了一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法。其中，該半導體結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟：形成一底氧化層；形成一第一導體層于底氧化層上；形成一疊層于第一導體層上，疊層包括交錯設置的多個第二導體層和多個絕緣層；形成一第一開口，具有一第一剖面寬度，第一開口穿過疊層及一部份的第一導體層；形成一第二開口，具有一第二剖面寬度，第二開口穿過第一開口下方的第一導電層并暴露出底氧化層，且第二剖面寬度小于第一剖面寬度；以及形成一存儲層于第一開口的一側(cè)壁上及填滿于第二開口中。

技術(shù)領域

本發(fā)明內(nèi)容是有關(guān)于一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別是有關(guān)于一種用于存儲器元件的半導體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)

近來，由于對于更優(yōu)異的存儲器元件的需求已逐漸增加，已提供各種三維(3D)存儲器元件，例如是具有多層疊層結(jié)構(gòu)的單柵極垂直通道式(Single-Gate Vertical-Channel，SGVC)三維與非(NAND)存儲器元件。此類三維存儲器元件可達到更高的存儲容量，具有更優(yōu)異的電子特性，例如是具有良好的數(shù)據(jù)保存可靠性和操作速度。

在一種U型的SGVC 3D NAND存儲器元件中，是使用一反轉(zhuǎn)柵極(inversion gate)協(xié)助控制。在制造此一反轉(zhuǎn)柵極的期間，可能會發(fā)生過刻蝕(over-etching)，且此存儲器元件的結(jié)構(gòu)可能會受到破壞。因此，改善存儲器元件中反轉(zhuǎn)柵極的形成方法是相當重要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明內(nèi)容是有關(guān)于一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法。實施例中，半導體結(jié)構(gòu)中，存儲層形成于第一開口的側(cè)壁上及填滿于第一導體層中的第二開口中，使得通道層形成于第二開口上方，因此通道層的相當大的范圍都可以經(jīng)由第一導體層受到柵極的控制，而可以有效減小通道層不受柵極控制的高阻值區(qū)域，進而減少高阻值區(qū)域?qū)τ诓僮餍阅艿牟涣加绊憽?/p>

根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的一實施例，是提出一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導體結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟：形成一底氧化層；形成一第一導體層于底氧化層上；形成一疊層于第一導體層上，疊層包括交錯設置的多個第二導體層和多個絕緣層；形成一第一開口，具有一第一剖面寬度，第一開口穿過疊層及一部份的第一導體層；形成一第二開口，具有一第二剖面寬度，第二開口穿過第一開口下方的第一導電層并暴露出底氧化層，且第二剖面寬度小于第一剖面寬度；以及形成一存儲層于第一開口的一側(cè)壁上及填滿于第二開口中。

根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，是提出一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導體結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟：形成一底氧化層；形成一第一導體層于底氧化層上；形成一疊層于第一導體層上，疊層包括交錯設置的多個第二導體層和多個絕緣層；形成一第一開口，具有一第一剖面寬度，第一開口穿過疊層及一部份的第一導體層；形成一第二開口，具有一第二剖面寬度，第二開口穿過第一開口下方的第一導電層并暴露出底氧化層，且第二剖面寬度小于第一剖面寬度；對暴露于第二開口內(nèi)的第一導體層進行一氧化工藝，以形成一氧化物填滿于第二開口中；以及形成一存儲層于第一開口的一側(cè)壁上及氧化物上。

為了對本發(fā)明內(nèi)容的上述及其他方面有更好的了解，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A～圖1G繪示依照本發(fā)明內(nèi)容的一實施例的一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。

圖2繪示依照本發(fā)明的另一實施例的一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。

圖3A～圖3G繪示依照本發(fā)明的再一實施例的一種半導體結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。

【符號說明】

100：底氧化層

200：第一導體層

300：疊層

310：第二導體層

330：絕緣層

400：第一開口