[發(fā)明專利]一種基于光熱效應(yīng)的納米鍵合系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710300015.3 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107240557A | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧錦勝;李強(qiáng);仇旻 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310013 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 光熱 效應(yīng) 納米 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種基于光熱效應(yīng)的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:包括襯底,設(shè)置在襯底上的至少一塊金屬電極;所述的金屬電極上放置有待融合的納米線;
還包括設(shè)置在襯底上方的激光光源,以及將激光匯聚在納米線與金屬電極接觸位點(diǎn)處的透鏡。
2.如權(quán)利要求1所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的納米線為金屬納米線。
3.如權(quán)利要求2所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的金屬納米線為金納米線、銀納米線、銅納米線和焊料納米線中的一種。
4.如權(quán)利要求1所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的非金屬納米線為非金屬納米線。
5.如權(quán)利要求4所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的非金屬納米線包括半導(dǎo)體納米線、碳納米管和氧化物納米線。
6.如權(quán)利要求1所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的金屬電極為金電極、銀電極、銅電極、鉑電極和鋁電極中的一種。
7.如權(quán)利要求1所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的納米線與金屬電極部分解除或者整根納米線放置在金屬電極上。
8.如權(quán)利要求1所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的激光光源為單波長連續(xù)激光光源、寬譜光源或者脈沖激光光源。
9.如權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的納米鍵合系統(tǒng),其特征在于:所述的金屬電極為間隔的兩塊,納米線的兩端分別搭設(shè)在兩金屬電極上。
10.一種基于權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述納米鍵合系統(tǒng)的方法,其特征在于:將納米線放置在金屬電極上,利用透鏡將激光匯聚為亞微米級的光斑點(diǎn),并使激光匯聚點(diǎn)定位于納米線與金屬電極接觸位置,通過光熱效應(yīng),使納米線和金屬電極熔接在一起。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





