[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 201710299881.5 | 申請日： | 2017-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN107293622B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 張宇;馬歡;肖云飛 | 申請（專利權）人： | 華燦光電(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底和依次層疊在所述襯底上的緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、發光層、電子阻擋層、p型GaN層、Mg3N2層和透明導電層，所述Mg3N2層摻雜有Si；所述Mg3N2層中Si的摻雜濃度為1E17cm-3～5E17cm-3；p型GaN層中，Mg的摻雜濃度為5E18cm-3～1E19cm-3；
生長Mg3N2層時，控制NH3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為10～20sccm，H2的流量為100～130L/min，二茂鎂的流量為2000～4000sccm，SiH4的流量為1～3sccm。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Mg3N2層的厚度為5～10nm。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型GaN層中Mg的摻雜濃度為5E18cm-3～1E19cm-3。
4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述p型GaN層的厚度為50～100nm。
5.一種發光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、發光層、電子阻擋層、p型GaN層、Mg3N2層和透明導電層，所述Mg3N2層摻雜有Si；所述Mg3N2層中Si的摻雜濃度為1E17cm-3～5E17cm-3；p型GaN層中，Mg的摻雜濃度為5E18cm-3～1E19cm-3；
生長Mg3N2層時，控制NH3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為10～20sccm，H2的流量為100～130L/min，二茂鎂的流量為2000～4000sccm，SiH4的流量為1～3sccm。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述Mg3N2層的生長溫度為900℃～1000℃。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述Mg3N2層的生長壓力為100～300mbar。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述Mg3N2層的生長厚度為5～10nm。
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