本發明公開了一種封裝結構及其制造方法，封裝結構包含內連接層、鈍化層、至少一個彈性凸塊，以及導電層。鈍化層配置于內連接層上，且具有至少一個開口。彈性凸塊配置于內連接層上，其中彈性凸塊的一部分嵌入至開口中。導電層配置于彈性凸塊以及鈍化層上。本發明的結構具有較高的精準度以及較佳的節距品質。
技術領域
本發明是關于一種封裝結構及其制造方法。
背景技術
隨著封裝結構的發展，具有低成本的重分布層及凸塊技術已有顯著的進步。由聚酰亞胺(polyimide；PI)所制成的鈍化層由于具有彈性，因此對配置于其上方的凸塊具有良好的緩沖能力。然而，聚酰亞胺層與其下方的層具有低粘著力，故在成品階段時，聚酰亞胺容易剝落并產生損壞。另一方面，在工藝中，聚酰亞胺亦容易萎縮，而成品的品質，如節距(pitch)，也相應地受到影響。
由硬質材料，如二氧化硅(SiO2)，所制成的鈍化層雖可提供較高的精準度。然此類鈍化層對于底層的凸塊會產生高內部應力，而對整體結構造成影響。因此，為了達到高精準品質以及高穩定性，改良的封裝結構制造方法是必須的。
發明內容
本發明的目的在于提供一種具有較高的精準度以及較佳的節距品質的封裝結構及其制造方法。
本發明的一實施例為一種封裝結構，包含內連接層、鈍化層、至少一個彈性凸塊，以及導電層。鈍化層配置于內連接層上，且具有至少一個開口。彈性凸塊配置于內連接層上，其中彈性凸塊的一部分嵌入至開口中。導電層配置于彈性凸塊以及鈍化層上。
在部分實施例中，彈性凸塊的材料包含聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷，或聚胺酯。
在部分實施例中，鈍化層的材料包含二氧化硅。
在部分實施例中，封裝結構還包含至少一個耦接塊，配置于開口中，其中耦接塊嵌入至彈性凸塊中。
在部分實施例中，封裝結構還包含附著層，配置于開口中。
本發明的另一實施例為一種形成封裝結構的方法，包含形成內連接層。在內連接層上形成鈍化層。開槽鈍化層以形成至少一個開口。在開口中形成至少一個彈性凸塊，其中彈性凸塊的一部分嵌入至開口中。在彈性凸塊以及鈍化層上形成導電層。
在部分實施例中，此方法還包含在開口中形成至少一個耦接塊，使得耦接塊嵌入至彈性凸塊中。
在部分實施例中，開槽鈍化層還包含在鈍化層及內連接層中開槽內連接層以形成開口。
本發明的又一實施例為一種形成封裝結構的方法，包含形成內連接層。開槽內連接層以形成至少一個開口。在開口中形成至少一個彈性凸塊，其中彈性凸塊的一部分嵌入至開口中。在彈性凸塊以及鈍化層上形成導電層。
在部分實施例中，其中開槽內連接層后，至少一個金屬線自內連接層中曝露。
本發明的結構與現有技術相比，具有較高的精準度以及較佳的節距品質。
附圖說明
閱讀以下詳細敘述并搭配對應的附圖，可了解本發明的多個方面。應注意，根據業界中的標準做法，多個特征并非按比例繪制。事實上，多個特征的尺寸可任意增加或減少以利于討論的清晰性。
圖1A至圖1G為本發明的部分實施例的制造封裝結構的方法在各步驟的剖面圖。
圖1H為本發明的部分實施例的封裝結構的剖面圖。
圖2A至圖2E為本發明的部分實施例的制造封裝結構的方法在各步驟的剖面圖。
圖3A至圖3E為本發明的部分實施例的制造封裝結構的方法在各步驟的剖面圖。
圖4A至圖4D為本發明的部分實施例的封裝結構的剖面圖。
