[發明專利]半導體器件及其制造

有效

• 申請號: 201710297324.X
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107403830B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: P·C·布蘭特;T·奧爾;M·普法芬萊納;F·D·普菲爾施;F·J·桑托斯羅德里奎茲;H-J·舒爾策;A·R·斯特格納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/739;H01L29/74
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種半導體器件(100-700)，包括：

半導體本體(40)，包括：

第一側(101)；

邊緣(41)，其在平行于所述第一側(101)的方向上界定所述半導體本體(40)；

有源區域(110)；

外圍區域(120)，其布置在所述有源區域(110)與所述邊緣(41)之間；

第一傳導類型的第一半導體區域(1)，其從所述有源區域(110)延伸到所述外圍區域(120)；

第二傳導類型的第二半導體區域(2)，其與所述第一半導體區域(1)形成pn結(12)；

所述第二傳導類型的第一邊緣終止區域(4)，其在所述外圍區域(120)中與所述第一半導體區域(1)鄰接，并且布置在所述第一側(101)處以及在所述第二半導體區域(2)與所述邊緣(41)之間；以及

所述第一傳導類型的第二邊緣終止區域(5)，其包括所述第一傳導類型的變化的摻雜劑濃度，并且布置在所述第一側(101)處以及在所述第一邊緣終止區域(4)與所述邊緣(41)之間，該摻雜劑濃度至少在緊接所述第一邊緣終止區域(4)隨著距所述第一邊緣終止區域(4)的距離的增加和/或隨著距所述有源區域(120)的距離的增加而實質上線性地增加并且達到高于10¹⁷cm^-3的值。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體器件被實現為雙極半導體器件，其中所述雙極半導體器件被實現為IGBT(300、400)，其中所述第一半導體區域(1)和所述第二半導體區域(2)中的至少一項在所述有源區域(110)與所述外圍區域(120)之間延伸，其中所述第二半導體區域(2)與所述第一邊緣終止區域(4)相比具有更高的最大摻雜濃度，以及/或者其中所述第二半導體區域(2)形成所述IGBT(300、400)的本體區域。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體器件(100)被實現為晶閘管(200)，其中所述第一半導體區域(1)和所述第二半導體區域(2)中的至少一項在所述有源區域(110)與所述外圍區域(120)之間延伸，其中所述第二半導體區域(2)與所述第一邊緣終止區域(4)相比具有更高的最大摻雜濃度，以及/或者其中所述第二半導體區域(2)形成所述晶閘管(200)的基極區域。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中所述第一傳導類型的所述變化的摻雜劑濃度的最小值大于所述第一半導體區域(2)的最大摻雜濃度。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中所述第一邊緣終止區域(4)至少在緊接所述第二邊緣終止區域(5)處包括所述第二傳導類型的變化的摻雜劑濃度，該摻雜劑濃度隨著距所述第二邊緣終止區域(5)的距離的減小和/或隨著距所述有源區域(120)的距離的增加而減小。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第二傳導類型的變化的摻雜劑濃度至少在緊接所述第二邊緣終止區域(5)隨著距所述第二邊緣終止區域(5)的距離的減小而實質上線性地減小。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中所述第二邊緣終止區域(5)與所述第一邊緣終止區域(4)鄰接。