[發(fā)明專利]一種閃存單元器件及閃存

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710297289.1
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107170744B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝寧;羅家俊;韓鄭生;劉海南
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L29/08;H01L29/423
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

1.一種閃存單元器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底中的溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)，其中，所述源區(qū)和所述漏區(qū)分別與所述溝道區(qū)連接，所述漏區(qū)包括多個相互隔離的子漏區(qū)；

位于所述溝道區(qū)上方的浮柵層和位于所述浮柵層上方的控制柵層，所述浮柵層與所述溝道區(qū)之間、所述浮柵層與所述控制柵層之間、以及覆蓋所述控制柵層的均為氧化物隔離區(qū)域，所述浮柵層包括多個相互隔離的浮柵塊，浮柵塊的個數(shù)與子漏區(qū)的個數(shù)相同。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存單元器件，其特征在于，各個相互隔離的子漏區(qū)均為條狀浮柵塊，沿著所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間的垂線方向并列排布，其中，相鄰的條狀浮柵塊之間為氧化物隔離層。

3.如權(quán)利要求2所述的閃存單元器件，其特征在于，各個相互隔離的子漏區(qū)沿著所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間的垂線方向并列排布。

4.一種閃存，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3中任一所述的閃存單元器件，所述閃存還包括：

引線層；

讀出電路，所述讀出電路通過所述引線層與所述漏區(qū)中的全部數(shù)量或部分?jǐn)?shù)量的子漏區(qū)一一對應(yīng)的連接；

表決電路，包括N個輸入端口，所述表決電路的N個輸入端口與所述讀出電路中全部或部分輸出端口一一對應(yīng)的連接，N為大于1的奇數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的閃存，其特征在于，如果所述漏區(qū)包括相互隔離的M個子漏區(qū)，M為大于N的整數(shù)；

所述讀出電路中的輸入端口、輸出端口，所述引線層中的金屬引線，以及所述表決電路中的輸入端口的數(shù)目均相同，且為少于所述漏區(qū)中子漏區(qū)個數(shù)的奇數(shù)，其中，所述讀出電路的輸入端口通過對應(yīng)的金屬引線與所述漏區(qū)中的任意部分子漏區(qū)一一對應(yīng)的連接。

6.如權(quán)利要求5所述的閃存，其特征在于，所述讀出電路為讀出電路單體結(jié)構(gòu)，或者

所述讀出電路由相互獨(dú)立、且少于所述漏區(qū)中子漏區(qū)個數(shù)的奇數(shù)個數(shù)據(jù)讀取子電路組成，其中，每個數(shù)據(jù)讀取子電路包括一輸入端口和一輸出端口。

7.如權(quán)利要求4所述的閃存，其特征在于，如果所述漏區(qū)包括相互隔離的M個子漏區(qū)，M為大于N的整數(shù)；

所述讀出電路中的輸入端口、輸出端口以及所述引線層中的金屬引線均與所述漏區(qū)的子漏區(qū)個數(shù)相同，所述讀出電路的輸入端口通過對應(yīng)的金屬引線與所述M個子漏區(qū)一一對應(yīng)的連接。

8.如權(quán)利要求7所述的閃存，其特征在于，所述讀出電路為讀出電路單體結(jié)構(gòu)，或者

所述讀出電路由相互獨(dú)立的等于所述漏區(qū)的子漏區(qū)個數(shù)的奇數(shù)個數(shù)據(jù)讀取子電路組成，其中，每個數(shù)據(jù)讀取子電路包括一輸入端口和一輸出端口。