[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管陣列的制備方法

有效

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• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN108807721B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設計）人: 魏浩明;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，包括：

S1，提供一基底，在該基底表面形成多個第一電極；

S2，在該基底上形成一圖案化掩膜層，該圖案化掩膜層覆蓋該基底并使該多個第一電極的至少一部分裸露在外；

S3，提供一蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源包括碳納米管膜結構及有機發(fā)光層源材料，該碳納米管膜結構為一自支撐結構，在支撐結構之間懸空設置，該有機發(fā)光層源材料設置在懸空的碳納米管膜結構的表面，通過該碳納米管膜結構承載；

S4，將該蒸發(fā)源與該多個第一電極的表面相對且間隔設置，通過向所述碳納米管膜結構輸入電磁波信號或電信號使該有機發(fā)光層源材料蒸發(fā)，在所述裸露在外的多個第一電極上蒸鍍形成多個有機發(fā)光層；

S5，在該多個有機發(fā)光層上形成多個第二電極；

S6，去除該圖案化掩膜層形成有機發(fā)光二極管陣列。

2.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，該有機發(fā)光層源材料通過溶液法、沉積法、電鍍法或化學鍍法承載在該碳納米管膜結構表面。

3.如權利要求2所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，在該碳納米管膜結構表面承載該有機發(fā)光層源材料包括以下步驟：

S31，將該有機發(fā)光層源材料溶于或均勻分散于一溶劑中，形成混合物；

S32，將該混合物均勻附著于該碳納米管膜結構表面；以及

S33，將附著在該碳納米管膜結構表面的混合物中的溶劑蒸干，從而將該有機發(fā)光層源材料均勻的附著在該碳納米管膜結構表面。

4.如權利要求3所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，該步驟S31包括使多種材料在溶劑中按預定比例預先混合均勻的步驟，從而使擔載在碳納米管膜結構不同位置上的該多種材料均具有該預定比例。

5.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，該步驟S4進一步包括將該蒸發(fā)源及有機發(fā)光層源材料設置在真空室中，在真空中向該碳納米管膜結構輸入所述電磁波信號或電信號的步驟。

6.如權利要求5所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，當向該碳納米管膜結構輸入電磁波信號時，進一步包括提供一電磁波信號輸入裝置，使該電磁波信號輸入裝置向該碳納米管膜結構發(fā)出電磁波信號的步驟。

7.如權利要求5所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，當向該碳納米管膜結構輸入電信號時，進一步包括提供第一電信號輸入電極及第二電信號輸入電極，使該第一電信號輸入電極及第二電信號輸入電極相互間隔并分別與該碳納米管膜結構電連接的步驟。

8.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，該步驟S3包括提供多個用于制備不同顏色有機發(fā)光層的蒸發(fā)源，該步驟S4中通過多次蒸鍍在預定位置形成具有不同顏色的多個有機發(fā)光層。

9.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，在該步驟S4之前，進一步包括提供一空穴傳輸層蒸發(fā)源，該空穴傳輸層蒸發(fā)源包括碳納米管膜結構及空穴傳輸層源材料，該碳納米管膜結構為一載體，該空穴傳輸層源材料設置在該碳納米管膜結構表面，通過該碳納米管膜結構承載；以及將該空穴傳輸層蒸發(fā)源與該多個第一電極的表面相對且間隔設置，并向該碳納米管膜結構輸入電磁波信號或電信號，使該空穴傳輸層源材料蒸發(fā)，在該多個第一電極上蒸鍍形成空穴傳輸層。

10.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，在該步驟S4之前，進一步包括提供一空穴注入層蒸發(fā)源，該空穴注入層蒸發(fā)源包括碳納米管膜結構及空穴注入層源材料，該碳納米管膜結構為一載體，該空穴注入層源材料設置在該碳納米管膜結構表面，通過該碳納米管膜結構承載；以及將該空穴注入層蒸發(fā)源與該多個第一電極的表面相對且間隔設置，并向該碳納米管膜結構輸入電磁波信號或電信號，使該空穴注入層源材料蒸發(fā)，在該多個第一電極上蒸鍍形成空穴注入層。