[發明專利]一種封裝結構及封裝方法在審
| 申請號: | 201710296090.7 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN108807295A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 林章申;林正忠;何志宏;吳政達;蔡奇風 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬墊 電連接 第二區域 第一區域 封裝結構 供電模塊 導電部 底面 封裝 信號傳輸效率 傳輸距離 高深寬比 供電效率 固定封裝 寄生電阻 用電模塊 有效減少 元件封裝 再布線層 分隔層 封裝體 塑封層 分隔 繞線 金屬 | ||
1.一種封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括再布線層、分隔層、塑封層、供電模塊和導電部,其中:
所述再布線層包括鈍化層,以及被所述鈍化層分隔的金屬墊,所述再布線層的頂面及底面分別用于設置第一用電模塊及第二用電模塊并為其提供供電軌道;設置于所述再布線層底面的金屬墊至少包括第一金屬墊和第二金屬墊;
所述分隔層設置在再布線層的底面上,并將所述底面至少分隔為第一區域和第二區域;所述第一區域包括部分第一金屬墊的底面,所述第二區域包括第一金屬墊的剩余底面和第二金屬墊底面的部分或全部;
所述導電部設置于所述第一區域、與第一金屬墊電連接,用于形成高深寬比的信號傳輸結構、且與外接電源電連接;
所述供電模塊設置于所述第二區域,所述供電模塊的一端與第一金屬墊電連接、另一端與第二金屬墊電連接;
所述塑封層形成于供電模塊和導電部上,用于固定封裝供電模塊和導電部。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述金屬墊包括從外到內依次分布的濺射金屬層和電鍍金屬層;所述電鍍金屬層還包括從外到內依次分布的第一電鍍金屬層和第二電鍍金屬層。
3.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,
所述再布線層包括多層鈍化層,以及分隔設置在每層鈍化層內的金屬墊,相鄰鈍化層內的金屬墊能夠通過堆疊孔電連接;
位于再布線層頂面鈍化層內的金屬墊和堆疊孔均包括從外到內依次分布的濺射金屬層和電鍍金屬層;
其他鈍化層內的金屬墊和堆疊孔均包括電鍍金屬層;
所述電鍍金屬層還包括從外到內依次分布的第一電鍍金屬層和第二電鍍金屬層。
4.根據權利要求1至3任一所述的封裝結構,其特征在于,
所述再布線層的底部還設置有與第一金屬墊和第二金屬墊均相分隔的第三金屬墊;
所述分隔層還將再布線層的底面分隔出第三區域,所述第三區域包括所述第三金屬墊底面的部分或全部;
于所述第三區域上設置與第三金屬墊電連接的第二用電模塊。
5.根據權利要求4所述的封裝結構,其特征在于,所述供電模塊包括電容、電阻、電感、控制器和降壓轉換器的任意一種或多種的組合。
6.根據權利要求5所述的封裝結構,其特征在于,所述供電模塊、第一用電模塊以及第二用電模塊均通過錫焊塊或者凸塊下金屬層與相應的金屬墊電連接。
7.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述封裝結構還包括:
絕緣層,位于所述塑封層的底面上,所述絕緣層具有露出所述導電部的開口;
焊球下金屬化層,形成于所述開口內并與導電部電連接;
焊球,位于所述焊球下金屬化層上,且與所述焊球下金屬化層電連接。
8.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述導電部環繞設置在所述供電模塊的外周。
9.一種封裝方法,其特征在于,所述封裝方法至少包括以下步驟:
提供載體;
于所述載體上形成再布線層,所述再布線層包括鈍化層,以及被所述鈍化層分隔的金屬墊;所述金屬墊至少包括露出的第一金屬墊和第二金屬墊,所述再布線層的頂面及底面分別用于設置第一用電模塊及第二用電模塊并為其提供供電軌道;
于所述再布線層上形成分隔層,所述分隔層將所述再布線層表面至少分隔為第一區域和第二區域;所述第一區域包括部分第一金屬墊的表面,所述第二區域包括第一金屬墊的剩余表面和第二金屬墊表面的部分或全部;
于所述第一區域設置導電部,所述導電部與第一金屬墊電連接;
于所述第二區域上設置供電模塊,所述供電模塊的一端與第一金屬墊電連接、另一端與第二金屬墊電連接;
于所述供電模塊和導電部上形成塑封層,用于固定封裝供電模塊和導電部,以及通過露出的導電部與電路基板電連接;
去除載體,以露出所述再布線層。
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