[發(fā)明專利]具有屏蔽MEMS裝置的集成電路及用于制造屏蔽MEMS裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710295681.2 | 申請日： | 2017-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN107416757B | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | H·坎帕內(nèi)拉-皮內(nèi)達(dá);R·庫馬爾;Z·斯比阿;N·蘭加納坦;R·P·耶勒漢卡 | 申請（專利權(quán)）人： | 新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 新加坡，*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 屏蔽 mems 裝置 集成電路 用于 制造 方法 | ||
1.一種具有屏蔽微機(jī)電系統(tǒng)裝置的集成電路，其包含：
基板；
接地平面，其在該基板上方包括導(dǎo)電材料；
介電層，其在該接地平面上方；
微機(jī)電系統(tǒng)裝置，其在該接地平面上方；
第一導(dǎo)電柱，其穿過該介電層且與該接地平面接觸；
第二導(dǎo)電柱，其穿過該介電層且與該接地平面接觸，其中，該微機(jī)電系統(tǒng)裝置位于該第一導(dǎo)電柱與該第二導(dǎo)電柱之間；
金屬屏蔽層，其在該微機(jī)電系統(tǒng)裝置上方且與該第一導(dǎo)電柱及該第二導(dǎo)電柱接觸，其中該金屬屏蔽層、該第一導(dǎo)電柱、該第二導(dǎo)電柱及該接地平面形成包圍該微機(jī)電系統(tǒng)裝置的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)；以及
聲學(xué)屏蔽結(jié)構(gòu)，其在該基板上方且毗鄰該電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中：
該微機(jī)電系統(tǒng)裝置有腳印，
各導(dǎo)電柱在該微機(jī)電系統(tǒng)裝置的該腳印外面；
該集成電路更包含微機(jī)電系統(tǒng)裝置層，該微機(jī)電系統(tǒng)裝置層在該基板上方且包括形成該微機(jī)電系統(tǒng)裝置的一部分的第一部分與在該微機(jī)電系統(tǒng)裝置的該腳印外面的第二部分；以及
該金屬屏蔽層的一部分延伸穿過在該腳印外面的該微機(jī)電系統(tǒng)裝置層。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，下空腔隔開該微機(jī)電系統(tǒng)裝置與該接地平面，以及上空腔隔開該微機(jī)電系統(tǒng)裝置與該金屬屏蔽層。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，更包含上覆微機(jī)電系統(tǒng)裝置的介電屏蔽層，其中上空腔隔開該微機(jī)電系統(tǒng)裝置與該介電屏蔽層，其中該金屬屏蔽層位在該介電屏蔽層上。
5.如權(quán)利要求4所述的集成電路，更包含在該金屬屏蔽層上的密封層。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，該微機(jī)電系統(tǒng)裝置有腳印，以及其中該聲學(xué)屏蔽結(jié)構(gòu)由介電材料形成，其經(jīng)圖案化以形成在該腳印外面上覆該介電層的周期結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，該第一導(dǎo)電柱及該第二導(dǎo)電柱為在該微機(jī)電系統(tǒng)裝置的該腳印外面，以及其中，該集成電路更包含由以下所形成的密封環(huán)：
穿過該介電層且與該接地平面電氣連接的密封環(huán)導(dǎo)電柱；以及
上覆該介電層、毗鄰該電磁屏蔽結(jié)構(gòu)且與該密封環(huán)導(dǎo)電柱電氣連接的導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求7所述的集成電路，其中：
該密封環(huán)導(dǎo)電柱包含由穿過該介電層且與該接地平面電氣連接的數(shù)個第二導(dǎo)電柱組成的陣列；以及
上覆該介電層的該導(dǎo)電材料包含由形成于該周期結(jié)構(gòu)中且與該第二導(dǎo)電柱陣列電氣連接的數(shù)個導(dǎo)電隔離柱組成的陣列。
9.一種具有屏蔽微機(jī)電系統(tǒng)裝置的集成電路，其包含：
基板；
接地平面，其在該基板上方包括導(dǎo)電材料；
介電層，其在該接地平面上方；
微機(jī)電系統(tǒng)裝置，其在該接地平面上方且有腳印；以及
聲學(xué)屏蔽結(jié)構(gòu)，由介電材料形成，該介電材料經(jīng)圖案化以形成上覆該介電層、在該腳印外面的周期結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的集成電路，更包含電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其包圍該微機(jī)電系統(tǒng)裝置且位在該微機(jī)電系統(tǒng)裝置與該聲學(xué)屏蔽結(jié)構(gòu)之間。
11.如權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，該介電材料經(jīng)形成有數(shù)個通孔，以及其中該集成電路更包含：
導(dǎo)電柱，其位在該腳印外面，穿經(jīng)該介電層且與該接地平面電氣連接；以及
導(dǎo)電材料，其形成于所述通孔中、上覆該介電層、于該腳印外面、且與該導(dǎo)電柱電氣連接，以及其中，該導(dǎo)電材料調(diào)整該聲學(xué)屏蔽結(jié)構(gòu)的聲學(xué)性質(zhì)。
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